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具有均匀栅格金属栅极和被插入有气隙结构的沟槽接触切口的集成电路结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510230418.X
申请日：
2025-02-28
公开(公告)号：
CN120730818A
公开(公告)日：
2025-09-30
发明(设计)人：
L·P·古勒尔 孙洪谦 S·纳斯卡尔 A·欣德 M·Y·派克 Y·戈特利布 J·G·洪 S·苏克里塔诺恩
申请人：
英特尔公司
申请人地址：
美国加利福尼亚
IPC主分类号：
H10D84/83
IPC分类号：
H10D84/01
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
舒雄文
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-30 公开 公开
共 50 条
[1]
具有均匀网格金属栅极和沟槽接触占位切口的集成电路结构 [P]. 
A·达斯古普塔 ;
T·奥布莱恩 ;
S·阿查里亚 ;
L·P·古勒 ;
K·加内桑 ;
A·V·戴维斯 .
美国专利 :CN120727703A ,2025-09-30
[2]
具有背面栅极切口或者沟槽接触部切口的集成电路结构 [P]. 
L·P·古勒尔 ;
C·H·华莱士 ;
T·加尼 .
中国专利 :CN115513156A ,2022-12-23
[3]
具有用于均匀网格金属栅极和沟槽接触切口的全局链路的集成电路结构 [P]. 
L·P·古勒 ;
S·阿查里亚 ;
刘圣斯 ;
C·H·华莱士 .
美国专利 :CN120692920A ,2025-09-23
[4]
具有到用于均匀栅格金属栅极和沟槽触点切口的链路的触点的集成电路结构 [P]. 
L·P·古勒尔 ;
N·J·基贝尔特 ;
A·马德哈范 ;
M·科普尔 ;
S·阿查里亚 ;
刘圣斯 ;
M·内伯斯 ;
C·H·华莱士 .
美国专利 :CN120730819A ,2025-09-30
[5]
带棱锥形沟道结构的具有用于桶状栅极的均匀栅格金属栅极和沟槽接触插塞的集成电路结构 [P]. 
D·S·拉夫里克 ;
许劭铭 ;
A·S·默西 ;
M·J·科布林斯基 .
美国专利 :CN118676145A ,2024-09-20
[6]
具有自对准均匀网格金属栅极和用于槽栅极的沟槽接触切割的集成电路结构 [P]. 
D·S·拉弗里克 ;
许劭铭 ;
S·纳斯卡 ;
A·S·莫蒂 ;
N·梅塔 ;
L·P·古勒 .
美国专利 :CN118676181A ,2024-09-20
[7]
具有用于均匀网格金属栅极和沟槽接触器切割的外延小块的集成电路结构 [P]. 
L·P·古勒 ;
M·Y·白 ;
G·A·格拉斯 ;
J·凯利 ;
S·潘迪亚 ;
陈智轶 ;
蔡智兴 ;
H·加纳帕迪 ;
A·S·莫蒂 .
美国专利 :CN120730821A ,2025-09-30
[8]
具有沟槽接触飞越（flyover）结构的集成电路结构 [P]. 
L·P·古勒 ;
T·加尼 ;
C·H·华莱士 ;
M·K·哈兰 ;
S·耶门尼西奥卢 ;
C·D·穆纳辛格 .
美国专利 :CN117642862A ,2024-03-01
[9]
具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构 [P]. 
R·A·卡米洛-卡斯蒂罗 ;
J·S·邓恩 ;
D·L·哈拉梅 ;
A·K·斯塔珀 .
中国专利 :CN103367231A ,2013-10-23
[10]
具有位于掩埋电力轨上方的栅极切口的集成电路结构 [P]. 
A·C-H·韦 .
中国专利 :CN115117018A ,2022-09-27
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