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活性物质的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202180018680.8
申请日
:
2021-03-03
公开(公告)号
:
CN115210937B
公开(公告)日
:
2025-10-03
发明(设计)人
:
岛野哲
申请人
:
住友化学株式会社
申请人地址
:
日本东京
IPC主分类号
:
H01M10/54
IPC分类号
:
H01M4/505
H01M4/525
H01M4/58
代理机构
:
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
:
张楠
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-03
授权
授权
共 50 条
[1]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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门马洋平
;
落合辉明
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落合辉明
;
三上真弓
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三上真弓
;
町川一仁
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町川一仁
;
齐藤丞
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齐藤丞
.
中国专利
:CN113597410A
,2021-11-02
[2]
活性物质的制造方法
[P].
佐野笃史
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佐野笃史
;
大槻佳太郎
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大槻佳太郎
;
宫木阳辅
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宫木阳辅
;
高桥毅
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高桥毅
;
樋口章二
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樋口章二
.
中国专利
:CN101841026A
,2010-09-22
[3]
活性物质的制造方法
[P].
保科圭吾
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保科圭吾
;
原田康宏
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原田康宏
;
伊势一树
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伊势一树
;
高见则雄
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高见则雄
.
中国专利
:CN105990570B
,2016-10-05
[4]
正极活性物质的制造方法、正极活性物质、正极和锂离子二次电池
[P].
酒井智弘
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酒井智弘
.
中国专利
:CN108432001B
,2018-08-21
[5]
正极活性物质的制造方法和正极活性物质
[P].
德田洋介
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机构:
丰田自动车株式会社
丰田自动车株式会社
德田洋介
.
日本专利
:CN118255397A
,2024-06-28
[6]
电极活性物质的制造方法
[P].
山村英行
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山村英行
.
中国专利
:CN102859760A
,2013-01-02
[7]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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门马洋平
;
落合辉明
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落合辉明
;
三上真弓
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三上真弓
;
斉藤丞
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斉藤丞
;
高桥正弘
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高桥正弘
.
中国专利
:CN113646265A
,2021-11-12
[8]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
门马洋平
;
落合辉明
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株式会社半导体能源研究所
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落合辉明
;
三上真弓
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株式会社半导体能源研究所
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三上真弓
;
斉藤丞
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机构:
株式会社半导体能源研究所
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斉藤丞
;
高桥正弘
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
高桥正弘
.
日本专利
:CN119330419A
,2025-01-21
[9]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
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门马洋平
;
落合辉明
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株式会社半导体能源研究所
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落合辉明
;
三上真弓
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株式会社半导体能源研究所
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三上真弓
;
斉藤丞
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株式会社半导体能源研究所
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斉藤丞
;
高桥正弘
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
高桥正弘
.
日本专利
:CN119330415A
,2025-01-21
[10]
正极活性物质的制造方法
[P].
门马洋平
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
门马洋平
;
落合辉明
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机构:
株式会社半导体能源研究所
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落合辉明
;
三上真弓
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株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
三上真弓
;
斉藤丞
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
斉藤丞
;
高桥正弘
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机构:
株式会社半导体能源研究所
株式会社半导体能源研究所
高桥正弘
.
日本专利
:CN119330418A
,2025-01-21
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