深紫外Micro-LED芯片及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510659481.5
申请日
2025-05-21
公开(公告)号
CN120769627A
公开(公告)日
2025-10-10
发明(设计)人
周圣军 刘旭
申请人
武汉大学
申请人地址
430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号
IPC主分类号
H10H20/832
IPC分类号
H10H20/84 H10H20/01
代理机构
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
佟震阳
法律状态
公开
国省代码
湖北省 武汉市
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共 50 条
[1]
深紫外Micro-LED阵列芯片及制备方法 [P]. 
周圣军 ;
廖喆夫 ;
蒋晶晶 .
中国专利 :CN119384135A ,2025-01-28
[2]
深紫外Micro-LED阵列芯片及制备方法 [P]. 
周圣军 ;
廖喆夫 ;
蒋晶晶 .
中国专利 :CN119384135B ,2025-12-09
[3]
深紫外Micro-LED芯片阵列及制备方法 [P]. 
周圣军 ;
刘旭 .
中国专利 :CN115274757B ,2024-05-31
[4]
深紫外Micro-LED芯片阵列的制备方法 [P]. 
周圣军 ;
刘旭 ;
杜鹏 .
中国专利 :CN117594715A ,2024-02-23
[5]
Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED [P]. 
胡加辉 ;
刘春杨 ;
金从龙 ;
顾伟 .
中国专利 :CN120981046A ,2025-11-18
[6]
深紫外阵列互联micro-LED及其制备方法 [P]. 
王新强 ;
李铎 ;
袁冶 ;
刘上锋 ;
康俊杰 ;
罗巍 ;
李泰 ;
万文婷 .
中国专利 :CN113903762A ,2022-01-07
[7]
Micro-LED芯片外延片及其制备方法 [P]. 
郭磊 ;
吕守贵 ;
董国庆 ;
文国昇 ;
金从龙 .
中国专利 :CN115548175A ,2022-12-30
[8]
Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED [P]. 
舒俊 ;
程龙 ;
高虹 ;
郑文杰 ;
印从飞 ;
张彩霞 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN117457821B ,2024-03-08
[9]
Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED [P]. 
舒俊 ;
程龙 ;
高虹 ;
郑文杰 ;
印从飞 ;
张彩霞 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN117457821A ,2024-01-26
[10]
选区刻蚀外延Micro-LED芯片及其设计、制备方法 [P]. 
周圣军 ;
陶国裔 ;
万泽洪 ;
钱胤佐 .
中国专利 :CN113206176B ,2021-08-03