光电探测器结构及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410347096.2
申请日
2024-03-25
公开(公告)号
CN120730889A
公开(公告)日
2025-09-30
发明(设计)人
孙静
申请人
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号
H10F77/50
IPC分类号
H10F77/00 H10F71/00
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
吴敏
法律状态
公开
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
光电探测器及其形成方法 [P]. 
程钊 ;
张红广 ;
徐路 ;
刘敏 .
中国专利 :CN117393620A ,2024-01-12
[2]
光电探测器及其形成方法 [P]. 
冯霞 ;
曾红林 ;
陈晓军 ;
张冬生 ;
殷霞革 ;
吴家亨 .
中国专利 :CN115498059A ,2022-12-20
[3]
光电探测器及其形成方法 [P]. 
罗文勋 ;
徐英杰 .
中国专利 :CN110931578B ,2024-05-28
[4]
光电探测器及其形成方法 [P]. 
任惠 ;
陈星 ;
杨玲 ;
王志高 .
中国专利 :CN117855317A ,2024-04-09
[5]
光电探测器结构及其形成方法 [P]. 
孙静 ;
丁焱昆 .
中国专利 :CN120826030A ,2025-10-21
[6]
光电探测器及其形成方法 [P]. 
柯文建 ;
张洪铭 ;
蒲贤勇 .
中国专利 :CN119384051A ,2025-01-28
[7]
光电探测器及其形成方法 [P]. 
任惠 ;
陈星 ;
杨玲 ;
王志高 .
中国专利 :CN117855316A ,2024-04-09
[8]
光电探测器及其形成方法 [P]. 
孙静 ;
阎大勇 ;
梁志伟 ;
李宁原 ;
国智睿 ;
江小雪 .
中国专利 :CN117894868A ,2024-04-16
[9]
光电探测器及其形成方法 [P]. 
张宇清 ;
陈星 ;
王志高 .
中国专利 :CN119545936A ,2025-02-28
[10]
光电探测器及其形成方法 [P]. 
吴家亨 ;
陈晓军 ;
冯霞 ;
方文斌 ;
王丰茂 .
中国专利 :CN119277848A ,2025-01-07