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空穴传输层用材料、使用该空穴传输层用材料的光电转换元件及化合物

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202480014964.3
申请日：
2024-02-28
公开(公告)号：
CN120770219A
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
林祐一朗 高桥秀聪 佐藤洋 伊东俊昭
申请人：
保土谷化学工业株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H10K30/50
IPC分类号：
C07D403/14 H10K30/40 H10K30/86 H10K85/60
代理机构：
北京钲霖知识产权代理有限公司 11722
代理人：
李英艳;玉昌峰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-10 公开 公开
2025-12-30 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10K 30/50申请日:20240228
共 50 条
[1]
化合物、空穴传输材料及使用该空穴传输材料的光电转换元件 [P]. 
林祐一朗 ;
高桥秀聪 ;
佐藤洋 ;
伊东俊昭 ;
清水祐花 .
日本专利 :CN120981453A ,2025-11-18
[2]
空穴传输层用材料、空穴注入层用材料以及有机化合物 [P]. 
渡部刚吉 ;
久保田朋广 ;
植田蓝莉 ;
濑尾哲史 ;
大泽信晴 ;
久保田优子 .
中国专利 :CN112186112A ,2021-01-05
[3]
化合物、空穴传输材料及使用其的光电转换元件 [P]. 
大仓友也 ;
高桥秀聪 ;
佐藤洋 .
日本专利 :CN116710428B ,2025-08-19
[4]
空穴传输层用材料、电子阻挡层用材料、电子传输层用材料、空穴阻挡层用材料、发光器件 [P]. 
渡部刚吉 ;
濑尾广美 ;
植田蓝莉 ;
河野优太 ;
久保田朋广 ;
北野靖 ;
鸟巢崇生 ;
大泽信晴 ;
濑尾哲史 .
中国专利 :CN115417775A ,2022-12-02
[5]
光电转换元件、摄像元件、光电转换元件用材料和化合物 [P]. 
尾池华奈 ;
森中裕太 ;
小野洋平 .
日本专利 :CN120304040A ,2025-07-11
[6]
空穴传输层化合物、空穴传输层、光伏器件及制备方法 [P]. 
李兆宁 ;
曾海鹏 ;
杨玉雯 ;
应昕彤 ;
樊慧柯 .
中国专利 :CN120590440A ,2025-09-05
[7]
光电转换元件用材料及使用其的光电转换元件 [P]. 
林健太郎 ;
井上栋智 .
日本专利 :CN119836861A ,2025-04-15
[8]
具有磺酸盐基的化合物、空穴传输材料、光电转换元件用空穴传输材料组合物、光电转换元件及太阳能电池 [P]. 
伊东俊昭 ;
高桥秀聪 ;
樱井敦史 ;
佐藤洋 .
日本专利 :CN118044352A ,2024-05-14
[9]
2-取代芴化合物、含该化合物的空穴传输材料及空穴传输层中含该化合物的有机电子器件 [P]. 
西尾太一 ;
吉广大佑 ;
佐藤辉幸 ;
岩井新 ;
新内聡畅 .
中国专利 :CN111253264A ,2020-06-09
[10]
光电转换元件用材料及使用其的光电转换元件 [P]. 
林健太郎 ;
井上栋智 ;
吉田和成 ;
成田昌弘 .
日本专利 :CN121220211A ,2025-12-26
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