一种Mo掺杂CoWO<sub>4</sub>电极材料及其制备方法与应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211217067.1
申请日
2022-09-30
公开(公告)号
CN115662800B
公开(公告)日
2025-10-03
发明(设计)人
张伟 黄成相 郑伟涛
申请人
吉林大学
申请人地址
130015 吉林省长春市前进大街2699号
IPC主分类号
H01G11/46
IPC分类号
H01G11/86 H01G11/24
代理机构
杭州君锐达知识产权代理有限公司 33544
代理人
黄欢娣
法律状态
授权
国省代码
吉林省 长春市
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共 50 条
[1]
一种Mo掺杂CoWO4电极材料及其制备方法与应用 [P]. 
张伟 ;
黄成相 ;
郑伟涛 .
中国专利 :CN115662800A ,2023-01-31
[2]
一种Mo掺杂NbOPO<sub>4</sub>纳米材料及其制备方法与应用 [P]. 
蒋颖畅 ;
孙士斌 ;
常雪婷 ;
马涛 .
中国专利 :CN120774393A ,2025-10-14
[3]
一种球状Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>@Cu<sub>3</sub>Mo<sub>2</sub>O<sub>9</sub>纳米薄膜电极材料及其制备方法与应用 [P]. 
王眉龙 ;
金会心 ;
王壹 .
中国专利 :CN120453071A ,2025-08-08
[4]
一种Mo掺杂MnO<sub>2</sub>电极材料的方法及储铵材料 [P]. 
肖婷 ;
梅雨婷 ;
肖业权 ;
姜礼华 ;
乔豫龙 ;
谭新玉 .
中国专利 :CN119965008A ,2025-05-09
[5]
一种Mo<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/Ni<sub>3</sub>S<sub>2</sub>@NiWO<sub>4</sub>/NF复合电极材料及其制备方法 [P]. 
付猛 ;
蒋开 .
中国专利 :CN120809496A ,2025-10-17
[6]
一种原位金属原子掺杂Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>/C复合电极材料及其制备方法 [P]. 
杨柳 ;
李若彤 ;
关晓辉 ;
祝恩泽 ;
吴海辉 ;
张吉庆 .
中国专利 :CN118553884A ,2024-08-27
[7]
一种NaMnZn(PO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
丹媛媛 ;
谢秀芳 ;
刘东升 ;
于化龙 .
中国专利 :CN117735679B ,2024-09-13
[8]
一种NaMnZn(PO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
丹媛媛 ;
谢秀芳 ;
刘东升 ;
于化龙 .
中国专利 :CN117735679A ,2024-03-22
[9]
一种陶瓷-MoS<sub>2</sub>/Mo<sub>2</sub>N纳米片复合电极材料及其制备方法与应用 [P]. 
黄玲艳 ;
曹丽云 ;
刘一军 ;
黄剑锋 ;
李锦涵 ;
孔硌 .
中国专利 :CN117512674A ,2024-02-06
[10]
一种Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>掺杂Cu的电极材料的制备方法及其应用 [P]. 
卓琼芳 ;
王梓豪 ;
杨波 ;
王成龙 ;
徐彤熙 ;
罗育展 ;
邱永福 ;
李衍亮 ;
方嘉声 .
中国专利 :CN119080156A ,2024-12-06