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半导体器件的制作方法及半导体器件结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510947602.6
申请日：
2025-07-09
公开(公告)号：
CN120767254A
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
马小波
申请人：
思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园2-B304
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L21/762
H01L23/48
代理机构：
苏州三英知识产权代理有限公司 32412
代理人：
陆颖
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省
苏州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-10 | 公开 | 公开 |
| 2025-10-28 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20250709 |