蚀刻液组合物和氧化物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211729465.1

申请日：

2022-12-30

公开(公告)号：

CN117468002B

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

李恩庆

申请人：

TCL华星光电技术有限公司

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

IPC主分类号：

C23F1/18

IPC分类号：

C23F1/26 C23F1/44 H01L21/28 H10D30/67 H10D30/01 H10D64/62

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

黄舒悦

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	授权	授权
2024-01-30	公开	公开
2024-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23F 1/18申请日:20221230

共 50 条

[1]

蚀刻液组合物和氧化物半导体器件 [P].

李恩庆 .

中国专利 :CN117468002A ,2024-01-30

[2]

蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法 [P].

金妍伶 .

中国专利 :CN115368899A ,2022-11-22

[3]

蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法 [P].

金妍伶 .

中国专利 :CN115368899B ,2025-07-04

[4]

蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件 [P].

康明伦 .

中国专利 :CN114592191A ,2022-06-07

[5]

氧化物半导体器件的蚀刻停止 [P].

C·康纳 ;

V·文卡特拉曼 ;

V·尼基廷 ;

Y·卡亚 .

美国专利 :CN118263187A ,2024-06-28

[6]

一种氧化物半导体保护用Cu-MTD蚀刻液组合物 [P].

李恩庆 ;

谢一泽 ;

李闯 ;

张红伟 ;

黄海东 ;

胡天齐 .

中国专利 :CN119776007A ,2025-04-08

[7]

氧化物半导体膜和半导体器件 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

粟田英章 .

中国专利 :CN106104811A ,2016-11-09

[8]

半导体器件和氧化物半导体薄膜 [P].

李光熙 ;

朴镇成 ;

金尚昱 ;

车映官 ;

柳盛还 ;

金慧美 .

韩国专利 :CN120076378A ,2025-05-30

[9]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[10]

蚀刻液组合物 [P].

尹景湖 ;

申孝燮 ;

金世训 .

中国专利 :CN107090581A ,2017-08-25

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