一种继电器基座及纳米晶继电器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510789906.4

申请日：

2025-06-13

公开(公告)号：

CN120767163A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

彭秀学饶云飞李红金苗建峰彭贵斌杨艳青陈志文

申请人：

湖南三易精工科技有限公司

申请人地址：

421000 湖南省衡阳市衡南县工业集中区电子产业集聚区6号标准厂房

IPC主分类号：

H01H50/02

IPC分类号：

H01H50/04

代理机构：

衡阳雁城专利代理事务所(普通合伙) 43231

代理人：

李政科

法律状态：

公开

国省代码：

湖南省衡阳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	公开	公开
2025-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01H 50/02申请日:20250613

共 50 条

[1]

一种继电器基座及干簧管继电器 [P].

王友荣 ;

姜祥东 ;

朱依依 ;

王楠 ;

朱开远 ;

肖远程 .

中国专利 :CN222421688U ,2025-01-28

[2]

一种继电器基座和继电器 [P].

朱艺青 ;

刘新宇 ;

谭忠华 .

中国专利 :CN221008856U ,2024-05-24

[3]

继电器基座 [P].

王铁伟 ;

王坚敏 .

中国专利 :CN104319182A ,2015-01-28

[4]

继电器基座 [P].

杨晓厦 ;

徐耀章 ;

王典荣 .

中国专利 :CN3113213D ,1999-06-16

[5]

继电器基座 [P].

苏怀彬 .

中国专利 :CN2833864Y ,2006-11-01

[6]

一种触点组件及纳米晶继电器 [P].

彭秀学 ;

饶云飞 ;

李红金 ;

苗建峰 ;

彭贵斌 ;

杨艳青 ;

陈志文 .

中国专利 :CN120854227A ,2025-10-28

[7]

一种推动结构及纳米晶继电器 [P].

彭秀学 ;

饶云飞 ;

李红金 ;

苗建峰 ;

彭贵斌 ;

杨艳青 .

中国专利 :CN120674281A ,2025-09-19

[8]

一种冷却结构及纳米晶继电器 [P].

彭秀学 ;

饶云飞 ;

李红金 ;

苗建峰 ;

彭贵斌 ;

杨艳青 .

中国专利 :CN120674279A ,2025-09-19

[9]

一种辅助开关及纳米晶继电器 [P].

彭秀学 ;

饶云飞 ;

李红金 ;

苗建峰 ;

彭贵斌 ;

杨艳青 .

中国专利 :CN120674252A ,2025-09-19

[10]

一种纳米晶继电器焊锡装置 [P].

彭秀学 ;

饶云飞 ;

李红金 ;

苗建峰 ;

彭贵斌 ;

杨艳青 .

中国专利 :CN120696534A ,2025-09-26

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