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干电极和干电极制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510318828.X
申请日
:
2025-03-18
公开(公告)号
:
CN120727719A
公开(公告)日
:
2025-09-30
发明(设计)人
:
朴光源
李承勋
郑多恩
文祯基
李珍宪
崔钟燮
申请人
:
三星SDI株式会社
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01M4/02
IPC分类号
:
H01M4/04
H01M4/70
H01M4/66
代理机构
:
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人
:
李跃静;朴圣洁
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-30
公开
公开
2025-10-21
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/02申请日:20250318
共 50 条
[1]
用于制造干电极的装置和干电极制造方法
[P].
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
片雅灆
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
权一京
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0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权一京
.
韩国专利
:CN120089671A
,2025-06-03
[2]
用于制造干电极的装置、用于制造干电极的方法和由此制造的干电极
[P].
李佳彦
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
;
李珍宪
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0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权一京
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0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权一京
;
崔允柱
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔允柱
;
崔钟燮
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN120784259A
,2025-10-14
[3]
用于制造干电极的装置和制造干电极的方法
[P].
片雅灆
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
李珍宪
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
崔钟燮
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN121237793A
,2025-12-30
[4]
干电极制造设备、干电极的制造方法和干电极膜
[P].
片雅灆
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0
引用数:
0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
李珍宪
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
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0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
李东根
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李东根
;
崔钟燮
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN120038886A
,2025-05-27
[5]
制造干电极的方法和制造干电极的系统
[P].
金珉哲
论文数:
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
金珉哲
.
韩国专利
:CN118805267A
,2024-10-18
[6]
干电极、制造干电极的方法和包括干电极的锂电池
[P].
方愉敏
论文数:
0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
方愉敏
;
李珍宪
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
南铉
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
南铉
;
权昇旭
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
金星大
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金星大
;
片雅灆
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
权一京
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权一京
;
尹延曦
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
尹延曦
;
李东根
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李东根
;
崔钟燮
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN118712325A
,2024-09-27
[7]
干电极和制造其的方法
[P].
方愉敏
论文数:
0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
方愉敏
;
权昇旭
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
权一京
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权一京
;
李佳彦
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
;
李珍宪
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
崔允柱
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔允柱
.
韩国专利
:CN120784287A
,2025-10-14
[8]
制备干电极膜的方法、干电极膜、干电极和锂电池
[P].
南铉
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
南铉
;
李珍宪
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
片雅灆
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0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
权一京
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权一京
;
尹延曦
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
尹延曦
;
李东根
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李东根
;
金星大
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金星大
;
权昇旭
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
方愉敏
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
方愉敏
;
崔钟燮
论文数:
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN118712337A
,2024-09-27
[9]
干电极制造装置及干电极制造方法
[P].
金钢敏
论文数:
0
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金钢敏
;
金相泌
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金相泌
;
延东熙
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
延东熙
;
李珍宪
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
李佳彦
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
.
韩国专利
:CN120773393A
,2025-10-14
[10]
干电极制造装置及干电极制造方法
[P].
金钢敏
论文数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金钢敏
;
金相泌
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金相泌
;
延东熙
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
延东熙
;
李珍宪
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引用数:
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
李佳彦
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引用数:
0
h-index:
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
.
韩国专利
:CN120773392A
,2025-10-14
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