Nord闪存器件的制作工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210104685.9

申请日：

2022-01-28

公开(公告)号：

CN114334989B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

党扬张剑王辉熊伟陈华伦

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10B41/30

IPC分类号：

H10B41/00

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

Nord闪存器件的制作工艺 [P].

党扬 ;

张剑 ;

王辉 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN114334989A ,2022-04-12

[2]

NORD闪存器件逻辑区刻蚀方法 [P].

王进峰 ;

张剑 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN114843183A ,2022-08-02

[3]

浮栅型分栅闪存器件结构及其制作工艺 [P].

许昭昭 ;

钱文生 .

中国专利 :CN113113415B ,2021-07-13

[4]

闪存器件及其制作方法 [P].

杜怡行 ;

王壮壮 ;

王虎 ;

姚春 .

中国专利 :CN115411045A ,2022-11-29

[5]

NORD闪存的制作方法 [P].

张剑 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112259541B ,2021-01-22

[6]

NORD闪存器件的制造方法 [P].

任小兵 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN114256258A ,2022-03-29

[7]

Nord闪存制造方法 [P].

闫亦 ;

梁轩铭 ;

徐杰 ;

周洋 ;

李先宏 .

中国专利 :CN119136551A ,2024-12-13

[8]

NORD闪存器件的制作方法 [P].

张剑 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112185972B ,2021-01-05

[9]

NORD闪存器件结构及其制作方法 [P].

黄云龙 ;

熊伟 ;

张剑 ;

徐然 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN113224068A ,2021-08-06

[10]

闪存器件的制作方法 [P].

张家瑞 ;

徐杰 ;

吴志涛 ;

李小康 .

中国专利 :CN112635477A ,2021-04-09

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