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一种抗辐照SiC MOSFET器件及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511205035.3
申请日：
2025-08-27
公开(公告)号：
CN120711780A
公开(公告)日：
2025-09-26
发明(设计)人：
陈正佳 盛况 任娜
申请人：
浙江大学
申请人地址：
310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/832 H10D64/68
代理机构：
杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250
代理人：
陈涵
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-26 公开 公开
2025-10-17 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250827
2025-12-16 授权 授权
共 50 条
[1]
一种抗辐照SiC MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
陈正佳 ;
盛况 ;
任娜 .
中国专利 :CN120711780B ,2025-12-16
[2]
一种SiC MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
史志扬 ;
欧新华 ;
陈敏 ;
张波 ;
郎茂淳 .
中国专利 :CN118315431A ,2024-07-09
[3]
一种SiC MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
陈正佳 ;
盛况 ;
任娜 ;
计满意 .
中国专利 :CN120730784A ,2025-09-30
[4]
一种SiC MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
史田超 ;
程海英 ;
钮应喜 ;
乔庆楠 ;
袁松 ;
史文华 ;
张晓洪 ;
刘锦锦 ;
钟敏 ;
章学磊 ;
左万胜 .
中国专利 :CN110473911B ,2024-03-12
[5]
一种SiC MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
陈正佳 ;
盛况 ;
任娜 ;
计满意 .
中国专利 :CN120730784B ,2025-11-18
[6]
一种SiC MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
史田超 ;
程海英 ;
钮应喜 ;
乔庆楠 ;
袁松 ;
史文华 ;
张晓洪 ;
刘锦锦 ;
钟敏 ;
章学磊 ;
左万胜 .
中国专利 :CN110473911A ,2019-11-19
[7]
一种SiC mosfet器件及其制作方法 [P]. 
王兵 ;
张梦龙 ;
王小周 ;
李京波 .
中国专利 :CN118366861A ,2024-07-19
[8]
SiC功率MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
张景超 ;
戚丽娜 ;
井亚会 ;
林茂 ;
俞义长 ;
赵善麒 .
中国专利 :CN117393605A ,2024-01-12
[9]
抗单粒子辐照的SiC MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
张腾 ;
黄润华 ;
杨晓磊 ;
李士颜 ;
柏松 .
中国专利 :CN115148821B ,2025-09-12
[10]
抗单粒子辐照的SiC MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
张腾 ;
黄润华 ;
杨晓磊 ;
李士颜 ;
柏松 .
中国专利 :CN115148821A ,2022-10-04
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