半導体素子[ja]

被引：0

申请号：

JP20250044337

申请日：

2025-03-19

公开(公告)号：

JP2025146778A

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/83

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP7574964B1 ,2024-10-29

[2]

半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP2022145705A ,2022-10-04

[3]

半導体素子および半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013125126A1 ,2015-07-30

[4]

半導体光集積素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020084858A1 ,2021-02-15

[5]

半導体抵抗素子及び半導体抵抗素子を有する半導体モジュール[ja] [P].

日本专利 :JP5651068B2 ,2015-01-07

[6]

半導体成長用基板、半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025174756A ,2025-11-28

[7]

半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010023812A1 ,2012-01-26

[8]

半導体装置[ja] [P].

KOBAYASHI YUSUKE ;

IGUCHI TOMOAKI ;

SAKANO TATSUNORI ;

YOSHIDA TSUTOMU ;

ADACHI KENTO ;

KARIKI HIRO ;

BABA SHOTARO ;

FUKUDA DAICHI .

日本专利 :JP2025043880A ,2025-04-01

[9]

半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009008080A1 ,2010-09-02

[10]

半導体装置[ja] [P].

KONDO TARO .

日本专利 :JP2024087967A ,2024-07-02

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