半導体結晶ウェハの製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20240062754
申请日
2024-04-09
公开(公告)号
JP2025159904A
公开(公告)日
2025-10-22
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
B23K26/53 B28D5/04
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半導体結晶ウェハの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7679948B1 ,2025-05-20
[2]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7041931B1 ,2022-03-25
[3]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7072180B1 ,2022-05-20
[4]
半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7398852B1 ,2023-12-15
[5]
半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7260889B1 ,2023-04-19
[6]
半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法[ja] [P]. 
SAKAI SHINSUKE ;
CHIBA TETSUYA .
日本专利 :JP2024062447A ,2024-05-10
[7]
半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7243996B1 ,2023-03-22
[8]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7041932B1 ,2022-03-25
[9]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7007625B1 ,2022-01-24
[10]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7100864B1 ,2022-07-14