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半導体結晶ウェハの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240062754
申请日
:
2024-04-09
公开(公告)号
:
JP2025159904A
公开(公告)日
:
2025-10-22
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
B23K26/53
B28D5/04
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体結晶ウェハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7679948B1
,2025-05-20
[2]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7041931B1
,2022-03-25
[3]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7072180B1
,2022-05-20
[4]
半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7398852B1
,2023-12-15
[5]
半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7260889B1
,2023-04-19
[6]
半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法[ja]
[P].
SAKAI SHINSUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SUCCESS LTD
SUCCESS LTD
SAKAI SHINSUKE
;
CHIBA TETSUYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SUCCESS LTD
SUCCESS LTD
CHIBA TETSUYA
.
日本专利
:JP2024062447A
,2024-05-10
[7]
半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7243996B1
,2023-03-22
[8]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7041932B1
,2022-03-25
[9]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7007625B1
,2022-01-24
[10]
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7100864B1
,2022-07-14
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