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一种氮化硅靶材及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510101614.7
申请日：
2025-01-22
公开(公告)号：
CN119822850B
公开(公告)日：
2025-11-04
发明(设计)人：
姚力军 王佳乾 杨慧珍 廖培君
申请人：
宁波江丰电子材料股份有限公司
申请人地址：
315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
IPC主分类号：
C04B35/584
IPC分类号：
C23C14/35 C23C14/06 C04B35/622 C04B35/645
代理机构：
北京远智汇知识产权代理有限公司 11659
代理人：
刘春青
法律状态：
授权
国省代码：
河北省 衡水市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 授权 授权
2025-04-15 公开 公开
2025-05-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/584申请日:20250122
共 50 条
[1]
一种氮化硅靶材及其制备方法 [P]. 
姚力军 ;
王佳乾 ;
杨慧珍 ;
廖培君 .
中国专利 :CN119822850A ,2025-04-15
[2]
一种氮化硅及其制备方法 [P]. 
赵国瑞 ;
陈秀娟 ;
王恩哥 ;
吴世傲 ;
范伟丰 .
中国专利 :CN119241257A ,2025-01-03
[3]
一种高强度氮化硅陶瓷及其制备方法 [P]. 
王克杰 ;
卢秉恒 ;
鲍崇高 ;
刘荣臻 .
中国专利 :CN114085084A ,2022-02-25
[4]
一种氮化硅陶瓷天线罩及其增材制造方法 [P]. 
王克杰 ;
卢秉恒 ;
鲍崇高 ;
满积友 .
中国专利 :CN114436661A ,2022-05-06
[5]
一种低氧含量氮化硅粉末及其制备方法、氮化硅陶瓷及其应用 [P]. 
杨平 ;
贾文磊 ;
李明伟 ;
杞文涵 ;
周菊 ;
曾一明 ;
韩娇 ;
李仕祺 .
中国专利 :CN120289193A ,2025-07-11
[6]
一种氮化硅生坯及其制备方法 [P]. 
张一铭 ;
侯东 ;
聂京凯 ;
韩钰 ;
祝志祥 ;
刘辉 ;
何强 ;
姬军 ;
许宗超 ;
卢理成 ;
邹建明 ;
刘溟 .
中国专利 :CN117865689A ,2024-04-12
[7]
一种大尺寸氮化硅陶瓷的制备方法 [P]. 
姚力军 ;
滕晓朋 ;
吴东青 ;
廖培君 .
中国专利 :CN118754680A ,2024-10-11
[8]
一种高韧性氮化硅纳米线/氮化硅层状陶瓷及其制备方法 [P]. 
王红洁 ;
李明主 ;
肖灵彬 ;
苏磊 .
中国专利 :CN114853482A ,2022-08-05
[9]
一种高强高导热大尺寸氮化硅陶瓷及其制备方法 [P]. 
赵宏伟 .
中国专利 :CN115703683A ,2023-02-17
[10]
一种透明β-氮化硅陶瓷及其制备方法 [P]. 
彭桂花 ;
梁振华 ;
李庆余 ;
王红强 ;
梁敏 ;
李向果 .
中国专利 :CN101215174B ,2008-07-09
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