熱フレックス要素を有するインピンジメント冷却構造を備えたタービンノズルまたはブレード[ja]

被引：0

申请号：

JP20250522840

申请日：

2023-09-01

公开(公告)号：

JP2025535421A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

F01D9/02

IPC分类号：

F01D5/18

代理机构：

代理人：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

パッケージのためのコンポーネントアレンジメントを製造するための方法、コンポーネントアレンジメントを有するパッケージを製造するための方法、コンポーネントアレンジメント、およびパッケージ[ja] [P].

日本专利 :JP2022539450A ,2022-09-09

[2]

半導体オンインシュレータ基板を備えるＮＣＦＥＴトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2024510706A ,2024-03-11

[3]

ナノ構造ベースのコンデンサを備えた画像センサ[ja] [P].

日本专利 :JP2023530293A ,2023-07-14

[4]

最適化された気化インタフェースを備えるエバポレータ[ja] [P].

日本专利 :JP2020516845A ,2020-06-11

[5]

エタノールアミンおよび／またはエチレンアミンの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020514255A ,2020-05-21

[6]

太陽光保護のための薄層スタックを備えたグレージング[ja] [P].

MAILLET ALEXANDRE[FR] ;

MAGNE CONSTANCE[FR] ;

AGUIAR ROSIANA[FR] .

日本专利 :JP2017511297A ,2017-04-20

[7]

セグメント化されたトレンチとシールドとを伴うトレンチ型パワー・デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2023524028A ,2023-06-08

[8]

結晶酸化ケイ素を有するシリコンオンインシュレータ[ja] [P].

日本专利 :JP2020524893A ,2020-08-20

[9]

ディープトレンチとフローティングフィールドリングを備えた半導体高電圧終端[ja] [P].

日本专利 :JP2024527399A ,2024-07-24

[10]

トランジスタ、トランジスタのアレイ、コンデンサと高さ方向に延伸するトランジスタと個別に含むメモリセルのアレイ、及びトランジスタのアレイを形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021523555A ,2021-09-02

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