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高动态范围CMOS图像传感器像素及成像系统

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211656052.5
申请日：
2022-12-22
公开(公告)号：
CN117294969B
公开(公告)日：
2025-11-07
发明(设计)人：
崔雲
申请人：
豪威科技股份有限公司
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H04N25/779
IPC分类号：
H10F39/18 H04N25/77 H04N25/78
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
刘媛媛
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-07 授权 授权
2025-03-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H04N 25/779申请日:20221222
共 50 条
[1]
高动态范围CMOS图像传感器像素 [P]. 
崔雲 ;
杜一飞 .
美国专利 :CN117293150B ,2025-08-15
[2]
具有高动态范围成像像素的图像传感器 [P]. 
R·S·约翰森 .
美国专利 :CN111182241B ,2024-05-28
[3]
具有高动态范围成像像素的图像传感器 [P]. 
R·S·约翰森 .
美国专利 :CN118450274A ,2024-08-06
[4]
具有高动态范围成像像素的图像传感器 [P]. 
R·S·约翰森 .
中国专利 :CN111182241A ,2020-05-19
[5]
高动态范围CMOS图像传感器设计 [P]. 
代铁军 ;
马渕圭司 ;
高哲 .
中国专利 :CN113810635B ,2021-12-17
[6]
具有高动态范围像素的图像传感器 [P]. 
S·威利卡奥 ;
M·H·因诺森特 ;
R·莫里兹森 .
美国专利 :CN118214959A ,2024-06-18
[7]
图像传感器像素、图像传感器像素电路及成像系统 [P]. 
S·威利卡奥 .
中国专利 :CN206441729U ,2017-08-25
[8]
高动态范围图像传感器像素结构 [P]. 
郭同辉 ;
旷章曲 .
中国专利 :CN204258952U ,2015-04-08
[9]
用于高动态范围图像传感器的像素电路 [P]. 
马渕圭司 ;
代铁军 .
美国专利 :CN117376723A ,2024-01-09
[10]
用于高动态范围图像传感器的像素电路 [P]. 
马渕圭司 ;
代铁军 .
美国专利 :CN117376723B ,2025-09-02
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