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超伝導デバイス、超伝導電磁石、及び超伝導デバイスの製造方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20240048802
申请日：
2024-03-25
公开(公告)号：
JP2025148177A
公开(公告)日：
2025-10-07
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01B12/06
IPC分类号：
H01F6/06
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
超伝導薄膜、その製造方法、およびそれを用いた超伝導線材、超伝導デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006025252A1 ,2008-05-08
[2]
超伝導体及び超伝導体の形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015532630A ,2015-11-12
[3]
半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス[ja] [P]. 
DAVID LYSACEK ;
JAN HYBL ;
DUSAN POSTULKA ;
JURAJ JARINA ;
VIT JANIREK ;
ALEXANDRA SENKOVA .
日本专利 :JP2024031904A ,2024-03-07
[4]
イオン伝導体および蓄電デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019212007A1 ,2020-05-07
[5]
デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19
[6]
酸化物超伝導体の超伝導接続構造及びこれを用いた超伝導機器[ja] [P]. 
日本专利 :JP7553932B2 ,2024-09-19
[7]
酸化物イオン伝導体及び電気化学デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP6992770B2 ,2022-02-03
[8]
酸化物イオン伝導体及び電気化学デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP6819638B2 ,2021-01-27
[9]
酸化物イオン伝導体及び電気化学デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP7155812B2 ,2022-10-19
[10]
プロトン伝導体およびプロトン伝導デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP5720001B1 ,2015-05-20
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