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一种碳化硅衬底的外延生长工艺
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410582620.4
申请日：
2024-05-11
公开(公告)号：
CN120933151A
公开(公告)日：
2025-11-11
发明(设计)人：
张新峰
吴志亮
高欣
申请人：
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址：
226500 江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/67
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-11-11 | 公开 | 公开 |