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用于光电阴极保护的BiVO<sub>4</sub>/CuInS<sub>2</sub>复合膜及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511219256.6
申请日：
2025-08-28
公开(公告)号：
CN120989688A
公开(公告)日：
2025-11-21
发明(设计)人：
李伟华 李万锋 王凯旋 魏嘉鸿 曹文凯
申请人：
河南省科学院 河南省科学院化学研究所
申请人地址：
450000 河南省郑州市郑东新区崇实里228号
IPC主分类号：
C25D9/04
IPC分类号：
C25D5/54 C25D5/48 C25D5/00 C23F13/14 C03C17/34
代理机构：
郑州久信知识产权代理事务所(普通合伙) 41194
代理人：
张清彦
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
河南省 郑州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-09 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C25D 9/04申请日:20250828
2025-11-21 公开 公开
共 50 条
[1]
用于光电阴极保护的WO<sub>3</sub>-ZIFs-AgInS<sub>2</sub>复合膜及其制备方法与应用 [P]. 
李伟华 ;
李万锋 ;
王凯旋 ;
魏嘉鸿 ;
曹文凯 .
中国专利 :CN120229878A ,2025-07-01
[2]
一种光电阴极保护用C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>-CdS复合膜及其制备方法和应用 [P]. 
李伟华 ;
李万锋 ;
王凯旋 .
中国专利 :CN117867476A ,2024-04-12
[3]
一种用于光电阴极保护的WO<sub>3</sub>-ZIFs复合膜及其应用 [P]. 
李万锋 ;
李伟华 ;
王凯旋 ;
魏嘉鸿 ;
曹文凯 .
中国专利 :CN119824424A ,2025-04-15
[4]
一种WO<sub>3</sub>/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/ZnIn<sub>2</sub>S<sub>4</sub>复合薄膜及其制备方法和在光电化学阴极保护中的应用 [P]. 
李伟华 ;
王凯旋 ;
李万锋 .
中国专利 :CN117902834A ,2024-04-19
[5]
一种WO<sub>3</sub>/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/ZnIn<sub>2</sub>S<sub>4</sub>复合薄膜及其制备方法和在光电化学阴极保护中的应用 [P]. 
李伟华 ;
王凯旋 ;
李万锋 .
中国专利 :CN117902834B ,2025-08-19
[6]
ZnIn<sub>2</sub>S<sub>4</sub>/BiVO<sub>4</sub>催化剂及其制备方法和应用 [P]. 
朱荣淑 ;
易炼 ;
朱满玉 .
中国专利 :CN120268421A ,2025-07-08
[7]
一种TiO<sub>2</sub>/CuInS<sub>2</sub>光电极薄膜的制备方法和应用 [P]. 
范晓星 ;
刘大博 ;
江姗姗 .
中国专利 :CN117431578A ,2024-01-23
[8]
Zn掺杂CuInS<sub>2</sub>@TiO<sub>2</sub>材料及其制备方法和应用 [P]. 
范文亮 ;
张世娇 ;
王延来 ;
姚海燕 .
中国专利 :CN119101505A ,2024-12-10
[9]
用于光电阴极保护的复合膜及其制备方法和应用 [P]. 
金祖权 ;
张小影 ;
蒋继宏 ;
王晓晴 .
中国专利 :CN114085043B ,2022-02-25
[10]
一种双相WO<sub>3</sub>-TiO<sub>2</sub>-ZnIn<sub>2</sub>S<sub>4</sub>复合光电薄膜材料及其制备方法和应用 [P]. 
孙萌萌 ;
宋雨豪 ;
姜晋悦 ;
段继周 ;
侯保荣 .
中国专利 :CN120866829A ,2025-10-31
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