存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510632250.5

申请日：

2025-05-16

公开(公告)号：

CN121001344A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

林佳颖 V·亚达夫 J·A·伊莫尼吉 E·S·埃格 R·A·本森 B·冈宁

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

丁昕伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法 [P].

C·M·卡尔森 .

美国专利 :CN120500036A ,2025-08-15

[2]

存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法 [P].

K·M·考尔道 ;

D·戴寇克 ;

A·廖 ;

李时雨 ;

刘海涛 .

美国专利 :CN120787500A ,2025-10-14

[3]

存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法 [P].

陈洁薇 ;

罗双强 ;

徐丽芳 .

美国专利 :CN117529108A ,2024-02-06

[4]

存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法 [P].

陈洁薇 ;

J·D·格林利 ;

罗双强 ;

S·博尔萨里 .

美国专利 :CN117641924A ,2024-03-01

[5]

存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法 [P].

李奔奔 ;

D·戴寇克 ;

M·巴拉克里希南 ;

黄淑娴 ;

J·M·S·林 ;

李时雨 ;

M·费希尔 .

美国专利 :CN120547874A ,2025-08-26

[6]

存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法 [P].

D·F·范 ;

马远志 ;

H·A·阿巴斯 .

美国专利 :CN120692850A ,2025-09-23

[7]

存储器电路系统和用于形成存储器电路系统的方法 [P].

杨广军 .

中国专利 :CN115547379A ,2022-12-30

[8]

存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法 [P].

罗双强 ;

I·V·恰雷 ;

K·W·汤 .

美国专利 :CN118785710A ,2024-10-15

[9]

存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法 [P].

A·班纳吉 ;

K·K·瓦伊迪尤拉 ;

D·雷斯纳蒂 ;

金柄彻 ;

郑珪捧 ;

J·B·穆拉尼 ;

崔宰奎 ;

G·卡尔内瓦莱 .

美国专利 :CN118434148A ,2024-08-02

[10]

存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法 [P].

王宜平 ;

C·豪德 .

美国专利 :CN118829218A ,2024-10-22

← 1 2 3 4 5 →