一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511108984.X

申请日：

2025-08-08

公开(公告)号：

CN121001558A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

朱博文杨尧葛恺鑫刘国磊陈伊靖

申请人：

西湖大学

申请人地址：

310000 浙江省杭州市西湖区转塘街道石龙山街18号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20 G06N3/063

代理机构：

郑州先风知识产权代理有限公司 41127

代理人：

张鹏辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20250808
2025-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

基于触觉传感器和忆阻器的仿生神经元器件及其制备方法 [P].

王璐 ;

张鹏 ;

高志强 ;

温殿忠 .

中国专利 :CN118378680A ,2024-07-23

[2]

一种忆阻器及其制备方法和应用 [P].

潘金艳 ;

李静 ;

黄巧 ;

高云龙 ;

李铁军 ;

谢伦博 ;

王祯平 ;

钟莹莹 .

中国专利 :CN117545282A ,2024-02-09

[3]

一种忆阻器及其制备方法和应用 [P].

葛军 ;

马泽霖 ;

曹栩诚 ;

陈莞君 ;

刁山青 ;

潘书生 .

中国专利 :CN114038995A ,2022-02-11

[4]

一种忆阻器及其制备方法和应用 [P].

葛军 ;

马泽霖 ;

曹栩诚 ;

陈莞君 ;

刁山青 ;

潘书生 .

中国专利 :CN114038995B ,2025-09-19

[5]

一种忆阻器及其制备方法和应用 [P].

蒋然 ;

李浩宇 ;

卢杰 ;

王克祥 ;

相泽扬 ;

周俊秀 ;

文赟 ;

张卉芝 ;

袁伊琳 ;

朱晓玲 ;

武彬 ;

王紫宣 ;

李冉平 ;

金惠琳 ;

施思 ;

王子雨 ;

刘祖名 ;

陈羲冉 ;

胡欣宇 ;

王彦博 ;

陈舰洋 ;

傅柳淇 .

中国专利 :CN121001561A ,2025-11-21

[6]

一种全忆阻器神经网络及其制备方法和应用 [P].

杨玉超 ;

段庆熙 ;

荆兆坤 ;

黄如 .

中国专利 :CN111275177A ,2020-06-12

[7]

神经元系统、感光类神经元器件及其制作方法和应用 [P].

邵琳 ;

赵建文 ;

崔铮 .

中国专利 :CN111628038B ,2020-09-04

[8]

一种仿生神经元忆阻器及其制备方法 [P].

朱小健 ;

吴柳 ;

张峥 ;

孙启浩 ;

李润伟 .

中国专利 :CN114497366A ,2022-05-13

[9]

一种人工触觉神经元器件 [P].

王璐 ;

张鹏 ;

高志强 ;

温殿忠 .

中国专利 :CN222088082U ,2024-11-29

[10]

一种忆阻器及其制备方法和应用 [P].

刘飞 ;

曹刚 ;

谢俊锋 ;

邓少芝 ;

陈军 .

中国专利 :CN118215386A ,2024-06-18

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