非易失性存储器的多遍编程的粒度错误报告

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980099573.5

申请日：

2019-08-22

公开(公告)号：

CN114258531B

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

林其松 V·P·拉亚普鲁吴建刚 S·K·瑞特南 S·帕塔萨拉蒂史绍春

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

G06F11/08

IPC分类号：

G11C16/04

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

非易失性存储器的多遍编程的粒度错误报告 [P].

林其松 ;

V·P·拉亚普鲁 ;

吴建刚 ;

S·K·瑞特南 ;

S·帕塔萨拉蒂 ;

史绍春 .

中国专利 :CN114258531A ,2022-03-29

[2]

非易失性存储器模块的错误报告 [P].

詹姆斯·R·马格罗 ;

凯达尔纳特·巴拉里斯南 ;

维拉斯·斯里达兰 .

中国专利 :CN114902186A ,2022-08-12

[3]

非易失性存储器和关联多遍编程的方法 [P].

劳尔-阿德里安·瑟尼 .

中国专利 :CN102089827B ,2011-06-08

[4]

非易失性存储器编程 [P].

维奥兰特·莫斯基亚诺 ;

乔瓦尼·桑廷 ;

米凯莱·因卡尔纳蒂 .

中国专利 :CN103460297B ,2013-12-18

[5]

非易失性存储器的可变编程 [P].

陈建 ;

王迟明 .

中国专利 :CN101006519A ,2007-07-25

[6]

非易失性存储器的编程 [P].

J·奥特斯泰特 ;

W·阿勒斯 ;

T·尼尔施尔 ;

M·博卢 .

中国专利 :CN101789266A ,2010-07-28

[7]

非易失性存储器装置以及非易失性存储器装置的编程方法 [P].

金相沅 ;

张俊锡 ;

朴艺真 ;

李泰润 .

韩国专利 :CN120340570A ,2025-07-18

[8]

非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的编程方法 [P].

崔昌玟 ;

李奉镕 ;

金东赞 ;

安洙珍 .

中国专利 :CN107068191B ,2017-08-18

[9]

非易失性存储器设备和在非易失性存储器中编程的方法 [P].

崔容赫 ;

南尚完 ;

柳载德 ;

李耀翰 .

中国专利 :CN114496041A ,2022-05-13

[10]

非易失性存储器单元的编程方法及非易失性存储器设备 [P].

宋承桓 .

韩国专利 :CN112885395B ,2025-08-01

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