半导体结构及其形成方法以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211109920.8

申请日：

2022-09-13

公开(公告)号：

CN115966509B

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

张文广

申请人：

上海集成电路研发中心有限公司

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/528

代理机构：

上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286

代理人：

吴浩

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法、半导体结构 [P].

李庆 .

中国专利 :CN110828665A ,2020-02-21

[2]

半导体结构及其形成方法、以及半导体器件 [P].

毛乾君 ;

费春潮 ;

王亚平 ;

朱雅莉 .

中国专利 :CN117457608A ,2024-01-26

[3]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

卢炜业 ;

欧阳良岳 ;

黄鸿仪 ;

简瑞宏 ;

林俊杰 .

中国专利 :CN118712134A ,2024-09-27

[4]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

翁圣勋 ;

张世杰 .

中国专利 :CN119789476A ,2025-04-08

[5]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

张海洋 ;

蒋鑫 .

中国专利 :CN111627977A ,2020-09-04

[6]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

张廷祥 ;

柯忠廷 ;

廖书翎 ;

林育如 ;

林颂恩 ;

黄泰钧 ;

李资良 .

中国专利 :CN120302696A ,2025-07-11

[7]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN113013323A ,2021-06-22

[8]

半导体器件、半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

郑嵘健 ;

王志豪 .

中国专利 :CN118412352A ,2024-07-30

[9]

半导体结构、半导体器件及其形成方法 [P].

林志轩 ;

陈玺中 ;

廖志腾 .

中国专利 :CN113745215B ,2024-12-24

[10]

半导体结构及其形成方法、半导体器件 [P].

王首航 ;

常庆环 .

中国专利 :CN117529099B ,2024-04-19

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