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磁阻式随机存取存储器及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410586219.8
申请日：
2024-05-13
公开(公告)号：
CN120882289A
公开(公告)日：
2025-10-31
发明(设计)人：
王慧琳
申请人：
联华电子股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H10N50/01
IPC分类号：
H10N50/10 H10N50/80 H10B61/00
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
王锐
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-31 公开 公开
2025-11-18 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 50/01申请日:20240513
共 50 条
[1]
磁阻式随机存取存储器及其制作方法 [P]. 
王慧琳 .
中国专利 :CN120916633A ,2025-11-07
[2]
磁阻式随机存取存储器及其制作方法 [P]. 
王慧琳 .
中国专利 :CN120882290A ,2025-10-31
[3]
磁阻式随机存取存储器及其制作方法 [P]. 
王慧琳 .
中国专利 :CN121057491A ,2025-12-02
[4]
磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法 [P]. 
王慧琳 .
中国专利 :CN119110668A ,2024-12-10
[5]
磁阻式随机存取存储器及其制作方法 [P]. 
王慧琳 ;
翁宸毅 ;
谢晋阳 ;
李怡慧 ;
刘盈成 ;
施易安 ;
张境尹 ;
曾奕铭 ;
王裕平 ;
林建廷 ;
何坤展 ;
邹宜勋 ;
李昌珉 ;
曾译苇 ;
赖育聪 ;
谢军 .
中国专利 :CN112234139A ,2021-01-15
[6]
磁阻式随机存取存储器及其制作方法 [P]. 
林宏展 ;
王裕平 ;
陈宏岳 .
中国专利 :CN110085737B ,2019-08-02
[7]
磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法 [P]. 
郭致玮 ;
邱崇益 ;
黄舜渔 ;
曾译苇 .
中国专利 :CN117425392A ,2024-01-19
[8]
磁阻式随机存取存储器及其制作方法 [P]. 
林宏展 ;
王裕平 ;
陈宏岳 .
中国专利 :CN115581112A ,2023-01-06
[9]
磁阻式随机存取存储器及其制作方法 [P]. 
王慧琳 ;
翁宸毅 ;
谢晋阳 ;
李怡慧 ;
刘盈成 ;
施易安 ;
张境尹 ;
曾奕铭 ;
王裕平 ;
林建廷 ;
何坤展 ;
邹宜勋 ;
李昌珉 ;
曾译苇 ;
赖育聪 ;
谢军 .
中国专利 :CN117396058A ,2024-01-12
[10]
磁阻式随机存取存储器及其制作方法 [P]. 
王慧琳 .
中国专利 :CN117812991A ,2024-04-02
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