半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510997139.6

申请日：

2025-07-18

公开(公告)号：

CN120916472A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

吴恒李项卢浩然王润声黎明黄如

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H01L21/768 H10D84/83 H01L23/528

代理机构：

北京善任知识产权代理有限公司 11650

代理人：

史薇;孟桂超

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250718

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

卢浩然 ;

刘煜 ;

葛延栋 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039565A ,2024-05-14

[2]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

褚衍邦 ;

卢浩然 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN119400751A ,2025-02-07

[3]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

张磊 ;

兰川 ;

黎明 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN120497252A ,2025-08-15

[4]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

刘攀 ;

郭亮 ;

吴贤勇 ;

游国忠 .

中国专利 :CN119008396A ,2024-11-22

[5]

制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P].

杨国文 ;

惠利省 .

中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22

[6]

半导体结构、半导体结构的制备方法及半导体器件 [P].

谷强 ;

郭宏瑞 ;

韩为鹏 ;

黄其伟 .

中国专利 :CN115050750B ,2025-02-25

[7]

半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P].

吴保润 ;

刘忠明 ;

杨孝东 .

中国专利 :CN118159023A ,2024-06-07

[8]

半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法 [P].

刘洋浩 ;

徐朋辉 ;

尹国旭 ;

刘涛 ;

薛鹍 ;

王宁 .

中国专利 :CN121194461A ,2025-12-23

[9]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

葛延栋 ;

卢浩然 ;

孙嘉诚 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039568A ,2024-05-14

[10]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

闫祥宇 ;

滕飞宇 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN120730800A ,2025-09-30

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