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一种二氧化硅改性增强的低损耗覆铜板及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510920424.8
申请日
:
2025-07-04
公开(公告)号
:
CN120842706A
公开(公告)日
:
2025-10-28
发明(设计)人
:
朱利明
陈应峰
谢谏诤
王小龙
申请人
:
江苏耀鸿电子有限公司
申请人地址
:
224200 江苏省盐城市东台经济开发区经八路8号
IPC主分类号
:
C08L9/00
IPC分类号
:
B32B33/00
B32B15/20
B32B15/14
B32B17/02
B32B17/12
B32B37/06
B32B37/10
C08L9/06
C08L23/16
C08K9/06
C08K7/26
C08K3/38
C08K7/14
C08J5/24
代理机构
:
北京华际知识产权代理有限公司 11676
代理人
:
张强
法律状态
:
公开
国省代码
:
河北省 衡水市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-28
公开
公开
2025-11-14
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C08L 9/00申请日:20250704
共 50 条
[1]
一种二氧化硅微粉增强的覆铜板及其制备方法
[P].
吴海兵
论文数:
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吴海兵
;
陈应峰
论文数:
0
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0
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0
陈应峰
.
中国专利
:CN115476551A
,2022-12-16
[2]
一种二氧化硅改性的碳氢树脂基覆铜板及其制备方法
[P].
朱利明
论文数:
0
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0
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0
机构:
江苏耀鸿电子有限公司
江苏耀鸿电子有限公司
朱利明
.
中国专利
:CN117901506A
,2024-04-19
[3]
一种二氧化硅改性的碳氢树脂基覆铜板及其制备方法
[P].
朱利明
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
江苏耀鸿电子有限公司
江苏耀鸿电子有限公司
朱利明
.
中国专利
:CN117901506B
,2024-08-16
[4]
球型二氧化硅、高频高速覆铜板及其制备方法
[P].
沈晓燕
论文数:
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
沈晓燕
;
贺菊菊
论文数:
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
贺菊菊
;
胡林政
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0
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
胡林政
;
车凯圆
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
车凯圆
.
中国专利
:CN120664549A
,2025-09-19
[5]
大粒径球形二氧化硅及其制备方法和覆铜板
[P].
车凯圆
论文数:
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0
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0
机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
车凯圆
;
文明
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
文明
;
胡林政
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
胡林政
;
许进
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
许进
;
刘双
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
刘双
;
贾波
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
贾波
;
马朋伟
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机构:
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
苏州锦艺新材料科技股份有限公司
马朋伟
.
中国专利
:CN120887430A
,2025-11-04
[6]
一种二氧化硅增韧改性BT树脂基覆铜板及其制备方法
[P].
朱利明
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机构:
江苏耀鸿电子有限公司
江苏耀鸿电子有限公司
朱利明
;
陈应峰
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机构:
江苏耀鸿电子有限公司
江苏耀鸿电子有限公司
陈应峰
;
谢谏诤
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机构:
江苏耀鸿电子有限公司
江苏耀鸿电子有限公司
谢谏诤
;
王小龙
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机构:
江苏耀鸿电子有限公司
江苏耀鸿电子有限公司
王小龙
.
中国专利
:CN120024086A
,2025-05-23
[7]
一种改性二氧化硅的方法、改性二氧化硅及应用
[P].
张立群
论文数:
0
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0
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0
张立群
;
韩冬礼
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韩冬礼
;
肖亚轲
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肖亚轲
;
叶欣
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叶欣
;
王益庆
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王益庆
;
吴晓辉
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0
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0
吴晓辉
.
中国专利
:CN111454591A
,2020-07-28
[8]
一种二氧化硅填充的PPO树脂基覆铜板及其制备方法
[P].
朱利明
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
江苏耀鸿电子有限公司
江苏耀鸿电子有限公司
朱利明
.
中国专利
:CN119840256B
,2025-07-18
[9]
一种二氧化硅填充的PPO树脂基覆铜板及其制备方法
[P].
朱利明
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
江苏耀鸿电子有限公司
江苏耀鸿电子有限公司
朱利明
.
中国专利
:CN119840256A
,2025-04-18
[10]
制备改性纳米二氧化硅的方法
[P].
朱美芳
论文数:
0
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0
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朱美芳
;
张青红
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张青红
;
姜永梅
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姜永梅
;
朱树琦
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朱树琦
;
吴杰
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吴杰
;
任怀银
论文数:
0
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0
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任怀银
.
中国专利
:CN101525501A
,2009-09-09
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