一种FPGA中SRAM存储单元的数据读取方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211300917.4

申请日：

2022-10-24

公开(公告)号：

CN115631777B

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

徐玉婷何小飞张艳飞

申请人：

无锡中微亿芯有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A6幢1-4层

IPC主分类号：

G11C11/412

IPC分类号：

G11C11/417

代理机构：

无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228

代理人：

过顾佳

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种FPGA中SRAM存储单元的数据读取方法 [P].

徐玉婷 ;

何小飞 ;

张艳飞 .

中国专利 :CN115631777A ,2023-01-20

[2]

存储单元的数据读取方法 [P].

赵立新 ;

乔劲轩 ;

黄诗剑 .

中国专利 :CN113395465A ,2021-09-14

[3]

存储单元的数据读取方法 [P].

赵立新 ;

乔劲轩 ;

黄诗剑 .

中国专利 :CN113395465B ,2024-03-05

[4]

一种SRAM存储单元、存储器及SRAM存储单元的读写方法 [P].

李博 ;

苏泽鑫 ;

宿晓慧 ;

刘凡宇 ;

杨灿 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN112992224B ,2021-06-18

[5]

一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法 [P].

李博 ;

苏泽鑫 ;

宿晓慧 ;

刘凡宇 ;

黄杨 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN112885391B ,2021-06-01

[6]

一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法 [P].

李博 ;

苏泽鑫 ;

宿晓慧 ;

刘凡宇 ;

黄杨 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN112992225A ,2021-06-18

[7]

一种SRAM存储单元 [P].

王林飞 ;

李倩 ;

张杰 ;

崔鹏宇 ;

廖翌如 ;

刘海南 ;

李博 .

中国专利 :CN117476072A ,2024-01-30

[8]

SRAM存储单元、SRAM存储单元写操作方法及SRAM存储器 [P].

赵立新 ;

董小英 ;

俞大立 ;

乔劲轩 .

中国专利 :CN103700397A ,2014-04-02

[9]

SRAM存储单元、SRAM电路及其读写方法 [P].

王旭 ;

梁馨文 ;

张译文 .

中国专利 :CN105070315A ,2015-11-18

[10]

SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法 [P].

王文智 ;

刘飞飞 .

中国专利 :CN121126770A ,2025-12-12

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