蚀刻方法和等离子体处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480023485.8

申请日：

2024-02-29

公开(公告)号：

CN120883336A

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

有马仙善木原嘉英户村幕树高桥圭惠

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H05H1/46

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

向山广记 ;

胜沼隆幸 .

日本专利 :CN119301744A ,2025-01-10

[2]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

向山广记 ;

泽野拓哉 .

日本专利 :CN118263120A ,2024-06-28

[3]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

高田郁弥 ;

森北信也 ;

及川弘太 ;

新仓菜月 .

日本专利 :CN119968696A ,2025-05-09

[4]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

铃木圣唯 ;

后平拓 .

日本专利 :CN118335601A ,2024-07-12

[5]

等离子体处理系统、等离子体处理装置以及蚀刻方法 [P].

齐藤昴 ;

中根由太 ;

高桥笃史 ;

石川慎也 ;

大内田聪 ;

户村幕树 .

日本专利 :CN117855088A ,2024-04-09

[6]

蚀刻方法及等离子体处理装置 [P].

松原棱 ;

泷野裕辅 ;

户村幕树 .

日本专利 :CN119698689A ,2025-03-25

[7]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

熊仓翔 ;

木村壮一郎 ;

世小弓 ;

小田岛畅洋 ;

真崎祐次 ;

岳本昇 ;

小林真 .

日本专利 :CN119256389A ,2025-01-03

[8]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

渡部诚一 ;

佐藤学 ;

泽田石真之 ;

山田纮己 ;

织茂慎司 .

中国专利 :CN114944333A ,2022-08-26

[9]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

岩野光纮 ;

细谷正德 .

中国专利 :CN111819666A ,2020-10-23

[10]

蚀刻方法和等离子体处理装置 [P].

佐藤琢磨 ;

吉村正太 ;

森北信也 .

日本专利 :CN117577524A ,2024-02-20

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