一种二维范德瓦尔斯异质结及其制备方法、应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410810548.6

申请日：

2024-06-21

公开(公告)号：

CN118818863B

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

徐新龙李二康周译玄卢春辉葛燕青

申请人：

西北大学

申请人地址：

710127 陕西省西安市长安区郭杜教育科技产业区学府大道1号

IPC主分类号：

G02F1/35

IPC分类号：

G02F1/355 C23C28/04

代理机构：

西安研实知识产权代理事务所(普通合伙) 61300

代理人：

罗磊

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权
2024-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/35申请日:20240621
2024-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维范德瓦尔斯异质结及其制备方法、应用 [P].

徐新龙 ;

李二康 ;

周译玄 ;

卢春辉 ;

葛燕青 .

中国专利 :CN118818863A ,2024-10-22

[2]

一种转移范德瓦尔斯异质结的方法 [P].

王雷 ;

甘祺康 .

中国专利 :CN117810157A ,2024-04-02

[3]

一种二维材料范德瓦尔异质结的精确构建方法 [P].

陆健婷 ;

招瑜 ;

杨亿斌 ;

魏爱香 ;

刘俊 .

中国专利 :CN109065735A ,2018-12-21

[4]

一种转移范德瓦尔斯异质结的方法 [P].

王雷 ;

甘祺康 .

中国专利 :CN117810157B ,2024-06-21

[5]

石墨烯/掺杂二维层状材料范德瓦尔斯异质结超导复合结构、超导器件及其制备方法 [P].

孙旭阳 .

中国专利 :CN110429174B ,2019-11-08

[6]

一种范德瓦尔斯异质结及其电荷单向转移的探测方法 [P].

韩秀秀 ;

邓建平 .

中国专利 :CN119653916A ,2025-03-18

[7]

二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统 [P].

张广宇 ;

杨蓉 ;

时东霞 ;

李烁辉 ;

余画 .

中国专利 :CN206385275U ,2017-08-08

[8]

一种范德瓦尔斯异质结红外光电探测器及其制备方法 [P].

王芳 ;

代福兴 ;

胡伟达 ;

陈效双 ;

陆卫 .

中国专利 :CN115274911B ,2025-07-08

[9]

一种基于范德瓦尔斯异质结的光电探测器及其制备方法 [P].

徐飞 ;

熊毅丰 ;

陈锦辉 .

中国专利 :CN110459548B ,2019-11-15

[10]

基于二维硒化铟和黑磷的范德瓦尔斯异质结的光探测器及其制备 [P].

李奎龙 ;

王文佳 .

中国专利 :CN108447924A ,2018-08-24

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