一种高灵敏度MEMS压阻式压力传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511012240.8

申请日：

2025-07-22

公开(公告)号：

CN120970864A

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

刘巾军张瀚文马长胜邱荣贤谭欣

申请人：

中国人民解放军陆军装备部驻南京地区军事代表局驻南京地区第四军事代表室

申请人地址：

210000 江苏省南京市秦淮区御道街33-9临

IPC主分类号：

G01L1/20

IPC分类号：

G01L9/02

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226

代理人：

魏言笑

法律状态：

公开

国省代码：

河南省焦作市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	公开	公开
2025-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01L 1/20申请日:20250722

共 50 条

[1]

一种高灵敏度压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

聂萌 ;

包宏权 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN105222932A ,2016-01-06

[2]

一种高灵敏度压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

聂萌 ;

夏云汉 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN106017751B ,2016-10-12

[3]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382A ,2024-07-26

[4]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

兰之康 ;

黄晓东 ;

侯赛雅 ;

张鹏飞 ;

张佳 .

中国专利 :CN118392382B ,2024-12-13

[5]

高灵敏度硅压阻压力传感器及其制备方法 [P].

缪建民 .

中国专利 :CN104296899A ,2015-01-21

[6]

高灵敏度硅压阻压力传感器 [P].

缪建民 .

中国专利 :CN204128719U ,2015-01-28

[7]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

黄晓东 ;

张志强 ;

兰之康 ;

秦明 ;

黄见秋 ;

韩磊 .

中国专利 :CN114088257A ,2022-02-25

[8]

一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

邵锦华 ;

薛惠琼 ;

王玮冰 .

中国专利 :CN118961010A ,2024-11-15

[9]

一种具有高灵敏度的柔性压阻式压力传感器及其制备方法 [P].

聂萌 ;

章丹 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN105092118B ,2015-11-25

[10]

一种高灵敏度压力传感器 [P].

陈巧 .

中国专利 :CN210571101U ,2020-05-19

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