薄膜晶体管和辐射传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510399746.2

申请日：

2025-04-01

公开(公告)号：

CN120835592A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

木村茂关根裕之石野隆行岩佐昂一

申请人：

天马日本株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10F39/18

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华;何月华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管 [P].

后藤裕史 ;

三木绫 ;

岸智弥 ;

广濑研太 ;

森田晋也 ;

钉宫敏洋 .

中国专利 :CN104681625A ,2015-06-03

[2]

薄膜晶体管 [P].

后藤裕史 ;

三木绫 ;

越智元隆 .

中国专利 :CN105917450A ,2016-08-31

[3]

薄膜晶体管 [P].

岸智弥 ;

广濑研太 ;

森田晋也 ;

钉宫敏洋 .

中国专利 :CN104335353A ,2015-02-04

[4]

薄膜晶体管 [P].

越智元隆 ;

高梨泰幸 ;

三木绫 ;

后藤裕史 ;

钉宫敏洋 .

中国专利 :CN106489209B ,2017-03-08

[5]

薄膜晶体管 [P].

后藤裕史 ;

三木绫 ;

岸智弥 ;

广濑研太 ;

森田晋也 ;

钉宫敏洋 .

中国专利 :CN104335355B ,2015-02-04

[6]

制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示单元 [P].

桐田科 ;

河岛利孝 .

中国专利 :CN101764064A ,2010-06-30

[7]

薄膜晶体管、显示面板和薄膜晶体管的制造方法 [P].

守口正生 ;

神崎庸辅 ;

高西雄大 ;

楠见崇嗣 .

中国专利 :CN103477441B ,2013-12-25

[8]

薄膜晶体管和显示装置 [P].

诸沢成浩 ;

藤森隆成 .

中国专利 :CN101794821A ,2010-08-04

[9]

薄膜晶体管 [P].

佐藤荣一 ;

青山俊之 .

中国专利 :CN103503125A ,2014-01-08

[10]

薄膜晶体管 [P].

佐藤荣一 ;

青山俊之 .

中国专利 :CN103493187A ,2014-01-01

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