基于MPCVD工艺的掺杂氧化镓薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510816149.5

申请日：

2025-06-18

公开(公告)号：

CN120796952A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

汪启军王志燊刘胜张召富吴改沈威张栋梁李瑞

申请人：

武汉大学

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

IPC主分类号：

C23C16/511

IPC分类号：

H01L21/02 C23C16/40

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

许莲英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/511申请日:20250618
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

基于MPCVD工艺的氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

汪启军 ;

王志燊 ;

刘胜 ;

张召富 ;

吴改 ;

沈威 ;

孙祥 ;

张栋梁 .

中国专利 :CN120485748A ,2025-08-15

[2]

基于MPCVD工艺的氮化镓薄膜及其制备方法 [P].

刘胜 ;

王志燊 ;

汪启军 ;

吴改 ;

沈威 ;

东芳 ;

梁康 ;

宋云飞 ;

张文泽 .

中国专利 :CN120889026A ,2025-11-04

[3]

基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法 [P].

汪启军 ;

王志燊 ;

刘胜 ;

张召富 ;

吴改 ;

沈威 ;

孙祥 .

中国专利 :CN120797193A ,2025-10-17

[4]

n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜 [P].

黄健 ;

胡艳 ;

尚艺 ;

陈卓睿 ;

李洪伟 ;

唐可 ;

王林军 .

中国专利 :CN112103175A ,2020-12-18

[5]

p型掺杂氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

闫金良 ;

赵刚 ;

初斌华 ;

张立春 .

中国专利 :CN107119258A ,2017-09-01

[6]

一种β相氧化镓薄膜及其制备和掺杂方法 [P].

任卫 ;

张博宇 ;

王伟杰 ;

冯爱玲 ;

周倩 ;

张亚明 ;

李仃 ;

李怡 .

中国专利 :CN115928014B ,2024-06-14

[7]

n型锗掺杂的氧化镓外延薄膜制备方法及氧化镓外延片 [P].

王宏伟 ;

吕建华 ;

张晗 .

中国专利 :CN121237645A ,2025-12-30

[8]

一种基于MgO衬底的掺杂氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

沈荣存 .

中国专利 :CN109378275A ,2019-02-22

[9]

基于Zn和N共掺杂的氧化镓薄膜制备方法 [P].

苏杰 ;

常晶晶 ;

严崇勇 ;

林珍华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111769035A ,2020-10-13

[10]

一种基于低氧含量氧化镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

赵莉娟 ;

杜宇超 .

中国专利 :CN119265697A ,2025-01-07

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