半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411040371.2

申请日：

2024-07-30

公开(公告)号：

CN118866868B

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

杨勤学常潇肖畅

申请人：

长鑫科技集团股份有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L23/528

IPC分类号：

H01L21/768 H10B12/00 H10B41/40 H10B43/40

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	公开	公开
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/528申请日:20240730
2025-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨勤学 ;

常潇 ;

肖畅 .

中国专利 :CN118866868A ,2024-10-29

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵君红 ;

赵海 .

中国专利 :CN112530804A ,2021-03-19

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

夏文斌 .

中国专利 :CN114068613A ,2022-02-18

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘继全 ;

龚春蕾 .

中国专利 :CN107039275B ,2017-08-11

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

纪世良 ;

李锦锦 .

中国专利 :CN112185811A ,2021-01-05

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN112635402B ,2024-08-30

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

吴轶超 ;

张天豪 .

中国专利 :CN111446204A ,2020-07-24

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN108573862A ,2018-09-25

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩清华 .

中国专利 :CN119012684A ,2024-11-22

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

柯星 .

中国专利 :CN115394719A ,2022-11-25

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