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ZrCoSb基Half-Heusler热电材料的电极、热电器件及制备方法和应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111625105.2
申请日
:
2021-12-28
公开(公告)号
:
CN114284421B
公开(公告)日
:
2025-11-18
发明(设计)人
:
朱铁军
熊博文
付晨光
申请人
:
浙江大学
申请人地址
:
310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
IPC主分类号
:
H10N10/81
IPC分类号
:
H10N10/853
H10N10/01
C01G51/00
C01B33/06
代理机构
:
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224
代理人
:
何秋霞;胡红娟
法律状态
:
授权
国省代码
:
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-11-18
授权
授权
共 50 条
[1]
ZrCoSb基Half-Heusler热电材料的电极、热电器件及制备方法和应用
[P].
朱铁军
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朱铁军
;
熊博文
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熊博文
;
付晨光
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付晨光
.
中国专利
:CN114284421A
,2022-04-05
[2]
TiCoSb基高熵热电材料及其制备方法与热电器件
[P].
刘福生
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刘福生
;
王晓
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王晓
;
敖伟琴
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敖伟琴
;
李均钦
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李均钦
;
张朝华
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张朝华
.
中国专利
:CN108091755A
,2018-05-29
[3]
NbFeSb基高熵热电材料及其制备方法与热电器件
[P].
刘福生
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刘福生
;
颜建龙
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颜建龙
;
敖伟琴
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敖伟琴
;
李均钦
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李均钦
;
张朝华
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张朝华
.
中国专利
:CN107946449A
,2018-04-20
[4]
ZrNiSn基高熵热电材料及其制备方法与热电器件
[P].
刘福生
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刘福生
;
龚波
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龚波
;
敖伟琴
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敖伟琴
;
李均钦
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李均钦
;
张朝华
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张朝华
.
中国专利
:CN108048725A
,2018-05-18
[5]
一种ZrNiSn基Half-Heusler热电材料及其制备方法
[P].
王同敏
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王同敏
;
康慧君
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康慧君
;
杨雄
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杨雄
;
郭恩宇
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郭恩宇
;
陈宗宁
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陈宗宁
;
李廷举
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李廷举
;
曹志强
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曹志强
;
卢一平
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卢一平
;
接金川
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接金川
;
张宇博
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张宇博
.
中国专利
:CN115050884A
,2022-09-13
[6]
一种PbSe基热电材料和同质热电器件及其制备方法
[P].
任广坤
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机构:
中国工程物理研究院材料研究所
中国工程物理研究院材料研究所
任广坤
;
马粒
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机构:
中国工程物理研究院材料研究所
中国工程物理研究院材料研究所
马粒
;
魏智杰
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机构:
中国工程物理研究院材料研究所
中国工程物理研究院材料研究所
魏智杰
;
方雯
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中国工程物理研究院材料研究所
中国工程物理研究院材料研究所
方雯
;
田宇
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中国工程物理研究院材料研究所
中国工程物理研究院材料研究所
田宇
;
郑哲
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中国工程物理研究院材料研究所
中国工程物理研究院材料研究所
郑哲
.
中国专利
:CN117756065A
,2024-03-26
[7]
热电器件电极及其制备方法和热电器件
[P].
刘福生
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刘福生
;
刘斌
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刘斌
;
李均钦
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李均钦
;
敖伟琴
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敖伟琴
;
张朝华
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张朝华
.
中国专利
:CN107665943A
,2018-02-06
[8]
一种用于碲化铋基热电器件的阻挡层、碲化铋基热电器件及其制备方法和应用
[P].
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机构:
张强
;
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机构:
蒋俊
;
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机构:
谈小建
;
苗丽娅
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机构:
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
苗丽娅
.
中国专利
:CN119836211A
,2025-04-15
[9]
热电器件的制备方法、热电器件
[P].
余中辉
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
余中辉
;
徐育钊
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
徐育钊
;
赵众乐
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
赵众乐
;
彭燕秋
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
彭燕秋
;
祝媛
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机构:
武汉亿纬储能有限公司
武汉亿纬储能有限公司
祝媛
.
中国专利
:CN120769690A
,2025-10-10
[10]
热电材料及其制备方法和热电器件
[P].
刘厚胤
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
刘厚胤
;
王震
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比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
王震
;
王学超
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比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
王学超
.
中国专利
:CN118324098A
,2024-07-12
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