单晶球状金属钠纳米粒子的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380097452.3
申请日
2023-04-26
公开(公告)号
CN121001840A
公开(公告)日
2025-11-21
发明(设计)人
大川秀树 榎村真一
申请人
M技术株式会社
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
B22F9/24
IPC分类号
B22F1/054 C22B26/10 C22C24/00
代理机构
成都泛典知识产权代理有限公司 51258
代理人
王佳媛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
单晶球状碳纳米粒子的制造方法 [P]. 
大川秀树 ;
榎村真一 .
日本专利 :CN119095794A ,2024-12-06
[2]
单晶球状硅纳米粒子的制造方法 [P]. 
大川秀树 ;
榎村真一 .
日本专利 :CN117396433A ,2024-01-12
[3]
单晶球状硅纳米粒子 [P]. 
榎村真一 ;
大川秀树 .
日本专利 :CN117396434A ,2024-01-12
[4]
铂担载单晶球状碳纳米粒子的制造方法 [P]. 
大川秀树 ;
榎村真一 .
日本专利 :CN120693301A ,2025-09-23
[5]
金属纳米粒子的制造方法和金属纳米粒子的制造装置 [P]. 
黑田圭儿 .
日本专利 :CN121042555A ,2025-12-02
[6]
金属纳米粒子的制造方法及利用该金属纳米粒子的金属纳米粒子油墨的制造方法 [P]. 
金成淳 ;
柳义炫 ;
朴灿爀 ;
连卿烈 .
中国专利 :CN104755200A ,2015-07-01
[7]
制造金属纳米粒子的方法 [P]. 
金洸贤 ;
黃教贤 ;
金相勋 ;
赵俊衍 .
中国专利 :CN105307804A ,2016-02-03
[8]
金属纳米粒子的制备方法 [P]. 
吕高孟 ;
钱广 ;
齐彦兴 ;
王晓来 ;
索继栓 .
中国专利 :CN1623889A ,2005-06-08
[9]
合金纳米粒子的制造方法 [P]. 
吉永文隆 ;
赤松谦祐 .
中国专利 :CN108296492A ,2018-07-20
[10]
半导体纳米粒子、半导体纳米粒子的制造方法以及发光体 [P]. 
鸟本司 ;
龟山达矢 ;
久保淳弥 ;
藤平纪一 .
日本专利 :CN118696008A ,2024-09-24