硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411771062.2
申请日
2024-12-04
公开(公告)号
CN119650468B
公开(公告)日
2025-10-31
发明(设计)人
陈曦鹏 孙介楠 郭宏雁
申请人
西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址
710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
IPC主分类号
H01L21/67
IPC分类号
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
赵春杰
法律状态
公开
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法 [P]. 
陈曦鹏 ;
孙介楠 ;
郭宏雁 .
中国专利 :CN119650468A ,2025-03-18
[2]
硅片边缘刻蚀装置和硅片边缘刻蚀方法 [P]. 
贾帅 ;
王力 .
中国专利 :CN121149050A ,2025-12-16
[3]
一种硅片边缘刻蚀专用吸盘 [P]. 
马胜南 .
中国专利 :CN216698324U ,2022-06-07
[4]
新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法 [P]. 
吴堃 ;
杨猛 .
中国专利 :CN111627843A ,2020-09-04
[5]
新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法 [P]. 
吴堃 .
中国专利 :CN111627841A ,2020-09-04
[6]
新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法 [P]. 
吴堃 .
中国专利 :CN111627844A ,2020-09-04
[7]
新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法 [P]. 
吴堃 ;
杨猛 .
中国专利 :CN111627842A ,2020-09-04
[8]
硅片固定装置和硅片刻蚀设备 [P]. 
苏艳宁 ;
孙介楠 ;
陈曦鹏 .
中国专利 :CN119673859A ,2025-03-21
[9]
硅片固定装置和硅片刻蚀设备 [P]. 
苏艳宁 ;
孙介楠 ;
陈曦鹏 .
中国专利 :CN119673859B ,2025-10-17
[10]
边缘刻蚀设备 [P]. 
吴镐硕 ;
朴灵绪 .
中国专利 :CN213958925U ,2021-08-13