一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422751232.2

申请日：

2024-11-12

公开(公告)号：

CN223452325U

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

张鹏程孟宇

申请人：

江苏慧易芯科技有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢16层

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/27 H01L23/48

代理机构：

无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376

代理人：

张悦

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN223452327U ,2025-10-17

[2]

一种屏蔽栅沟槽结构、屏蔽栅沟槽MOSFET [P].

孙健 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN215266310U ,2021-12-21

[3]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构及制造方法 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN119300449A ,2025-01-10

[4]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构和制作方法 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN119208381A ,2024-12-27

[5]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件 [P].

白羽 .

中国专利 :CN223157520U ,2025-07-25

[6]

屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件 [P].

周振强 ;

徐承福 .

中国专利 :CN216213475U ,2022-04-05

[7]

屏蔽栅沟槽MOSFET [P].

蒋容 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN111223930A ,2020-06-02

[8]

屏蔽栅沟槽栅MOSFET器件及制造方法 [P].

张鹏程 ;

孟宇 ;

曾帮远 .

中国专利 :CN115084270A ,2022-09-20

[9]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件 [P].

白羽 .

中国专利 :CN118919571A ,2024-11-08

[10]

一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构及制造方法 [P].

刘华瑞 ;

叶俊 ;

杨治宇 .

中国专利 :CN118173599A ,2024-06-11

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