深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211488599.9

申请日：

2022-11-25

公开(公告)号：

CN115832131B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

程龙郑文杰高虹刘春杨胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H10H20/81

IPC分类号：

H10H20/812 H10H20/01

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

李素兰

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115714155B ,2025-10-31

[2]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115986020B ,2025-08-05

[3]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116387420B ,2024-07-16

[4]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115911207B ,2025-07-25

[5]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115692553A ,2023-02-03

[6]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115692553B ,2025-08-05

[7]

一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115458653B ,2025-10-03

[8]

一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115458653A ,2022-12-09

[9]

紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外发光二极管 [P].

郑文杰 ;

曹斌斌 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117476829B ,2024-03-29

[10]

紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外发光二极管 [P].

郑文杰 ;

曹斌斌 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117476829A ,2024-01-30

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