差分存储单元、多阻态存储单元及磁性存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111196395.3

申请日：

2021-10-14

公开(公告)号：

CN115985362B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

李州石以诺孟皓冯向

申请人：

浙江驰拓科技有限公司

申请人地址：

311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号

IPC主分类号：

G11C11/16

IPC分类号：

代理机构：

北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667

代理人：

孙峰芳

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

磁性存储单元及磁性存储器 [P].

石以诺 ;

迟克群 ;

李州 ;

张文彪 ;

孟皓 .

中国专利 :CN115691596A ,2023-02-03

[2]

存储单元、差分存储单元及非易失性存储器 [P].

许耀华 ;

陈小杰 ;

王翊 ;

柏娜 ;

高东升 ;

杨帅 .

中国专利 :CN115346580A ,2022-11-15

[3]

磁性存储单元及磁性存储器 [P].

申力杰 ;

张栋山 ;

杨丹丹 .

中国专利 :CN215299292U ,2021-12-24

[4]

磁性存储单元及磁性存储器 [P].

宫俊录 ;

何世坤 .

中国专利 :CN112133343B ,2020-12-25

[5]

磁性随机存储单元、存储器及设备 [P].

刘桐汐 ;

王昭昊 ;

王旻 ;

王朝 ;

吴比 ;

赵巍胜 .

中国专利 :CN113451505A ,2021-09-28

[6]

磁性存储器、其存储单元及其存储单元的制造方法 [P].

何家骅 .

中国专利 :CN101304038B ,2008-11-12

[7]

自旋轨道矩差分存储单元及MRAM存储器 [P].

石以诺 ;

李州 ;

刘波 .

中国专利 :CN118574502A ,2024-08-30

[8]

一种磁性存储单元及磁性存储器 [P].

宫俊录 ;

简红 ;

孙一慧 ;

孟凡涛 .

中国专利 :CN115036414A ,2022-09-09

[9]

一种磁性存储单元及磁性存储器 [P].

韩谷昌 ;

张恺烨 ;

申力杰 ;

杨晓蕾 ;

刘波 .

中国专利 :CN114694705A ,2022-07-01

[10]

一种磁性存储单元及磁性存储器 [P].

韩谷昌 ;

张恺烨 ;

申力杰 ;

杨晓蕾 ;

刘波 .

中国专利 :CN114694705B ,2025-08-22

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