一种基于半导体材料的X射线防护材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511096529.2

申请日：

2025-08-06

公开(公告)号：

CN120923986A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

李良刘宝珠樊超李建华魏家媛金旺

申请人：

珠海澳科大科技研究院开滦（集团）有限责任公司开滦新材料有限公司

申请人地址：

519031 广东省珠海市横琴新区环岛东路1889号创意谷6栋311

IPC主分类号：

C08L67/02

IPC分类号：

C08K7/00 C08K3/16 C08L63/00 C08K3/30 D01F6/92 D01F1/10 G21F1/10 A41D13/00 A41D31/04

代理机构：

深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司 44375

代理人：

马倩

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C08L 67/02申请日:20250806

共 50 条

[1]

一种X射线防护材料及其制备和应用 [P].

高彬 ;

张艺滨 ;

康德智 ;

林元相 .

中国专利 :CN118292143A ,2024-07-05

[2]

一种生物半导体纳米材料及其制备方法和应用 [P].

屈庆 ;

李顺灵 ;

李蕾 ;

李晓虹 .

中国专利 :CN113832496B ,2021-12-24

[3]

半导体材料及其制备方法和应用 [P].

寇煦丰 ;

汤辰佳 ;

李家明 ;

杜鹏 ;

方铉 .

中国专利 :CN113097054A ,2021-07-09

[4]

半导体材料及其制备方法和应用 [P].

寇煦丰 ;

汤辰佳 ;

李家明 ;

杜鹏 ;

方铉 .

中国专利 :CN113097054B ,2024-04-09

[5]

半导体材料及其制备方法和应用 [P].

郑淑 ;

黄福林 ;

刘远宏 .

中国专利 :CN104752535A ,2015-07-01

[6]

有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

黄杰 ;

刘辉 .

中国专利 :CN103168044A ,2013-06-19

[7]

有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

姚旺 ;

约瑟夫.卡梅隆 ;

彼得.斯喀巴勒 .

中国专利 :CN120040730A ,2025-05-27

[8]

有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

姚旺 ;

约瑟夫.卡梅隆 ;

彼得.斯喀巴勒 .

中国专利 :CN120040729A ,2025-05-27

[9]

一种半导体材料及制备方法和应用 [P].

孟鸿 ;

郭升晖 ;

贺耀武 .

中国专利 :CN110085741A ,2019-08-02

[10]

一种液晶半导体材料及其制备方法和应用 [P].

孟鸿 ;

陈彦彤 ;

徐秀茹 ;

贺耀武 .

中国专利 :CN108238973A ,2018-07-03

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