无源上变频混频器

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专利类型
发明
申请号
CN202510371418.1
申请日
2025-03-27
公开(公告)号
CN120915255A
公开(公告)日
2025-11-07
发明(设计)人
A·拉菲
申请人
硅实验室公司
申请人地址
美国德克萨斯州
IPC主分类号
H03D7/16
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
丁辰;陈岚
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
上变频混频器 [P]. 
徐栋麟 ;
魏述然 ;
罗升龙 .
中国专利 :CN101155160B ,2008-04-02
[2]
上变频混频器 [P]. 
王海永 ;
吴南健 ;
寿国梁 .
中国专利 :CN101295963A ,2008-10-29
[3]
一种CMOS上变频无源混频器 [P]. 
石磊 ;
李正平 ;
陈志坚 .
中国专利 :CN105356852B ,2016-02-24
[4]
一种上变频混频器和双平衡式上变频混频器 [P]. 
汪纪 .
中国专利 :CN201663582U ,2010-12-01
[5]
微波双平衡上变频混频器 [P]. 
罗时庆 ;
陆青松 ;
龙永旺 ;
吴绪硕 ;
韦瑞波 .
中国专利 :CN203801013U ,2014-08-27
[6]
无频带倾斜的无源混频器上变频器 [P]. 
杨波 .
中国专利 :CN111480291A ,2020-07-31
[7]
无频带倾斜的无源混频器上变频器 [P]. 
杨波 .
美国专利 :CN111480291B ,2024-01-23
[8]
一种上变频混频器 [P]. 
龙宁 .
中国专利 :CN203233362U ,2013-10-09
[9]
谐波抑制无源上变频器 [P]. 
S·V·沃拉 ;
J·D·邓沃思 .
中国专利 :CN105594120B ,2016-05-18
[10]
一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器 [P]. 
华林 ;
陈磊 ;
赖宗声 ;
石春琦 ;
张伟 ;
刘盛富 ;
张书霖 ;
苏杰 ;
胡少坚 ;
王勇 ;
赵宇航 ;
陈寿面 .
中国专利 :CN101951224B ,2011-01-19