一种基于FBAR的压力传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211131706.2

申请日：

2022-09-16

公开(公告)号：

CN115513365B

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

孙成亮丁嘉祺刘炎蔡耀刘文娟谷曦宇魏民陈祥

申请人：

武汉大学

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山街道八一路299号

IPC主分类号：

H10N30/30

IPC分类号：

H10N30/87 H10N30/01

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

杨震

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于FBAR的压力传感器及其制备方法 [P].

孙成亮 ;

丁嘉祺 ;

刘炎 ;

蔡耀 ;

刘文娟 ;

谷曦宇 ;

魏民 ;

陈祥 .

中国专利 :CN115513365A ,2022-12-23

[2]

一种基于FBAR结构的压力传感器及其制备方法 [P].

盖广洪 ;

白鹤 .

中国专利 :CN114295256A ,2022-04-08

[3]

压力传感器、压力传感器阵列及其制备方法 [P].

郭小军 ;

陈苏杰 ;

唐伟 ;

赵家庆 .

中国专利 :CN107843364A ,2018-03-27

[4]

压力传感器制备方法及其制备的压力传感器 [P].

陈鲁倬 ;

张薇 ;

孙凌沁 .

中国专利 :CN108896215B ,2018-11-27

[5]

压力传感器及其制备方法 [P].

刘云鹏 ;

孙剑文 ;

刘煦 .

中国专利 :CN119374764A ,2025-01-28

[6]

压力传感器及其制备方法 [P].

赵利军 ;

谢红梅 ;

王一波 ;

王曦 .

中国专利 :CN115014595A ,2022-09-06

[7]

压力传感器及其制备方法 [P].

胡友根 ;

赵涛 ;

朱朋莉 ;

张愿 ;

朱玉 ;

梁先文 ;

孙蓉 .

中国专利 :CN106768520B ,2017-05-31

[8]

压力传感器、压力传感阵列及其制备方法 [P].

郭小军 ;

陈苏杰 ;

李骏 .

中国专利 :CN113884226A ,2022-01-04

[9]

射频压力传感器 [P].

孙成亮 ;

谢英 ;

王雅馨 ;

杨超翔 ;

曲远航 .

中国专利 :CN112816109B ,2021-05-18

[10]

一种压力传感器及其制备方法 [P].

朱芸松 ;

潘楠 ;

王晓平 .

中国专利 :CN110907087A ,2020-03-24

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