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一种氮化镓功率器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410593815.9
申请日
:
2024-05-14
公开(公告)号
:
CN120980907A
公开(公告)日
:
2025-11-18
发明(设计)人
:
伍震威
单建安
申请人
:
安建科技有限公司
申请人地址
:
中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室
IPC主分类号
:
H10D30/47
IPC分类号
:
H10D30/01
H10D64/00
代理机构
:
深圳市千纳专利代理有限公司 44218
代理人
:
袁燕清
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-05
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20240514
2025-11-18
公开
公开
共 50 条
[1]
一种氮化镓功率器件
[P].
伍震威
论文数:
0
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0
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机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
伍震威
;
单建安
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机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
单建安
.
中国专利
:CN222532101U
,2025-02-25
[2]
一种氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
麻胜恒
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机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
麻胜恒
;
吴义针
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机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
吴义针
;
汪连山
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机构:
中科(深圳)无线半导体有限公司
中科(深圳)无线半导体有限公司
汪连山
.
中国专利
:CN121038322A
,2025-11-28
[3]
氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件
[P].
刘君梦
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘君梦
;
叶念慈
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
叶念慈
;
刘成
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘成
;
王哲力
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王哲力
;
梁玉玉
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
梁玉玉
.
中国专利
:CN118280836A
,2024-07-02
[4]
一种氮化镓功率器件
[P].
孙伟锋
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机构:
捷捷微电(南通)科技有限公司
捷捷微电(南通)科技有限公司
孙伟锋
;
张龙
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机构:
捷捷微电(南通)科技有限公司
捷捷微电(南通)科技有限公司
张龙
;
孙媛
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机构:
捷捷微电(南通)科技有限公司
捷捷微电(南通)科技有限公司
孙媛
;
刘斯扬
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机构:
捷捷微电(南通)科技有限公司
捷捷微电(南通)科技有限公司
刘斯扬
;
王成森
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机构:
捷捷微电(南通)科技有限公司
捷捷微电(南通)科技有限公司
王成森
;
周榕榕
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机构:
捷捷微电(南通)科技有限公司
捷捷微电(南通)科技有限公司
周榕榕
.
中国专利
:CN220895512U
,2024-05-03
[5]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
刘昊
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
刘昊
;
叶念慈
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
叶念慈
;
刘成
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
刘成
;
陈奋
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
陈奋
;
陈泓
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
陈泓
;
徐涵
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
徐涵
;
付杰
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
付杰
;
张辉
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
张辉
.
中国专利
:CN119096369A
,2024-12-06
[6]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
林育赐
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
林育赐
;
李伟聪
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
;
梁志锦
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
梁志锦
.
中国专利
:CN120379296B
,2025-09-05
[7]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
张葶葶
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张葶葶
;
李亦衡
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李亦衡
;
王东盛
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王东盛
;
苗操
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苗操
;
魏鸿源
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魏鸿源
;
严文胜
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严文胜
;
朱廷刚
论文数:
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0
朱廷刚
.
中国专利
:CN105355665A
,2016-02-24
[8]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
郝荣晖
论文数:
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机构:
深圳镓楠半导体科技有限公司
深圳镓楠半导体科技有限公司
郝荣晖
.
中国专利
:CN119835968A
,2025-04-15
[9]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
林育赐
论文数:
0
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
林育赐
;
李伟聪
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
;
梁志锦
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
梁志锦
.
中国专利
:CN120379296A
,2025-07-25
[10]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
张龙
论文数:
0
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机构:
东南大学
东南大学
张龙
;
马杰
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机构:
东南大学
东南大学
马杰
;
张森
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机构:
东南大学
东南大学
张森
;
刘斯扬
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机构:
东南大学
东南大学
刘斯扬
;
孙媛
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机构:
东南大学
东南大学
孙媛
;
何乃龙
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机构:
东南大学
东南大学
何乃龙
;
温宏扬
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机构:
东南大学
东南大学
温宏扬
;
刘新新
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机构:
东南大学
东南大学
刘新新
;
孙伟锋
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机构:
东南大学
东南大学
孙伟锋
.
中国专利
:CN119153489A
,2024-12-17
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