静电保护器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210677902.3

申请日：

2022-06-15

公开(公告)号：

CN115172360B

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

苏庆

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H10D89/60

IPC分类号：

H10D62/13

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

静电保护器件 [P].

陈卓俊 ;

曾云 ;

彭伟 ;

金湘亮 ;

张云 ;

吴志强 .

中国专利 :CN108649028B ,2018-10-12

[2]

静电保护器件结构 [P].

苏庆 .

中国专利 :CN104332466A ,2015-02-04

[3]

静电保护器件 [P].

陈卓俊 ;

曾云 ;

彭伟 ;

金湘亮 ;

吴志强 ;

张云 .

中国专利 :CN108807373A ,2018-11-13

[4]

静电保护器件 [P].

E·J·考尼 ;

P·M·迈克古尼斯 ;

P·M·达利 ;

B·P·斯坦森 ;

D·J·克拉克 ;

A·D·贝因 ;

W·A·拉尼 .

中国专利 :CN102640288B ,2012-08-15

[5]

静电保护器件 [P].

喻洋 ;

卞飞翔 ;

刘宪成 .

中国专利 :CN222356849U ,2025-01-14

[6]

静电保护器件及静电保护电路 [P].

许杞安 .

中国专利 :CN115706109A ,2023-02-17

[7]

静电保护器件及静电保护电路 [P].

许杞安 .

中国专利 :CN115706109B ,2025-11-14

[8]

SOI器件及其构成静电保护器件结构 [P].

苏庆 .

中国专利 :CN104332493A ,2015-02-04

[9]

静电保护器件和静电保护电路 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN106663657B ,2017-05-10

[10]

MOS静电保护器件 [P].

王邦麟 ;

苏庆 .

中国专利 :CN103579333B ,2014-02-12

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