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光电突触器件的制备方法及光电突触器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411332646.X
申请日：
2024-09-24
公开(公告)号：
CN119486289B
公开(公告)日：
2025-10-17
发明(设计)人：
马明军 雷诚 肖湘衡 李文庆
申请人：
武汉大学
申请人地址：
430072 湖北省武汉市武昌珞珈山
IPC主分类号：
H10F30/282
IPC分类号：
H10F71/00
代理机构：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人：
刘艳艳
法律状态：
授权
国省代码：
湖北省 武汉市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-17 授权 授权
2025-04-01 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 30/282申请日:20240924
2025-02-18 公开 公开
共 50 条
[1]
光电突触器件的制备方法及光电突触器件 [P]. 
马明军 ;
雷诚 ;
肖湘衡 ;
李文庆 .
中国专利 :CN119486289A ,2025-02-18
[2]
离子门控光电突触晶体管、其制备方法和光电突触器件 [P]. 
葛琛 ;
王正 ;
金奎娟 ;
王灿 ;
何萌 ;
郭尔佳 .
中国专利 :CN120529739A ,2025-08-22
[3]
光电突触器件及其制备方法、用途 [P]. 
郑守君 ;
郭丹 ;
周家东 .
中国专利 :CN121001413A ,2025-11-21
[4]
光电突触器件及其调制方法、应用 [P]. 
武恩秀 ;
杨哲宇 .
中国专利 :CN120076432A ,2025-05-30
[5]
自驱动光电突触器件及其制备方法 [P]. 
黄东园 ;
刘超洋 ;
霍能杰 ;
李京波 .
中国专利 :CN120152403A ,2025-06-13
[6]
一种光电突触器件及其制备方法 [P]. 
周晔 ;
陈雪 ;
韩素婷 .
中国专利 :CN116156976B ,2025-12-09
[7]
一种光电突触器件及其应用 [P]. 
朱锐 ;
梁会力 ;
王燕 ;
刘尧平 ;
梅增霞 .
中国专利 :CN113675223A ,2021-11-19
[8]
一种光电突触器件的制备及调制方法 [P]. 
鲁统部 ;
王静静 ;
陈旭东 ;
张志成 .
中国专利 :CN111192938A ,2020-05-22
[9]
光电突触与光电探测特性可调的器件、制备方法及其应用 [P]. 
周晖晖 ;
周菲迟 ;
胡新艳 ;
江碧怡 ;
唐焕松 ;
王珍 .
中国专利 :CN120857659A ,2025-10-28
[10]
光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备 [P]. 
程传同 ;
张恒杰 ;
黄北举 ;
张欢 ;
陈润 ;
黄宇龙 ;
陈弘达 .
中国专利 :CN113793881A ,2021-12-14
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