动态随机存取内存的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210147927.2

申请日：

2022-02-17

公开(公告)号：

CN115332180B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

黒田聡王芯雅蔡昌翰蔡明庭

申请人：

华邦电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H01L21/768

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

宋蓉;黄健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

动态随机存取内存的制造方法 [P].

黒田聡 ;

王芯雅 ;

蔡昌翰 ;

蔡明庭 .

中国专利 :CN115332180A ,2022-11-11

[2]

动态随机存取内存结构及其制造方法 [P].

黄文魁 .

中国专利 :CN101656254A ,2010-02-24

[3]

动态随机存取内存结构 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN114141773A ,2022-03-04

[4]

动态随机存取内存结构 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN114141773B ,2025-07-25

[5]

动态随机存取内存结构 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN111584487B ,2020-08-25

[6]

动态随机存取内存模块 [P].

张立明 ;

蔡仕皇 ;

黄志群 .

中国专利 :CN207937948U ,2018-10-02

[7]

动态随机存取内存的散热件 [P].

吴祖光 .

中国专利 :CN308789179S ,2024-08-16

[8]

动态随机存取内存的散热件 [P].

吴祖光 .

中国专利 :CN308789178S ,2024-08-16

[9]

动态随机存取内存(DRAM)装置 [P].

陈至仁 .

中国专利 :CN120954462A ,2025-11-14

[10]

电阻式随机存取内存及其制造方法 [P].

谢明宏 .

中国专利 :CN106803533A ,2017-06-06

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