二维(4,4-DFHHA)<sub>2</sub>PbI<sub>4</sub>忆阻器及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511065090.7
申请日
2025-07-31
公开(公告)号
CN120916637A
公开(公告)日
2025-11-07
发明(设计)人
楚亮
申请人
杭州电子科技大学
申请人地址
310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号
IPC主分类号
H10N70/20
IPC分类号
H10N70/00
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
浙江省 杭州市
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共 50 条
[1]
ZnIn<sub>2</sub>S<sub>4</sub>/BiVO<sub>4</sub>催化剂及其制备方法和应用 [P]. 
朱荣淑 ;
易炼 ;
朱满玉 .
中国专利 :CN120268421A ,2025-07-08
[2]
一种基于二维材料CrPS<sub>4</sub>的异质结忆阻器及其制备方法 [P]. 
徐国梁 ;
王宁宁 ;
石东红 ;
王馨莹 ;
黄海霖 ;
杨丽芸 ;
安兴涛 .
中国专利 :CN120265118A ,2025-07-04
[3]
一种Ag<sub>2</sub>MoO<sub>4</sub>/BiVO<sub>4</sub>光阳极及其制备方法和应用 [P]. 
范功端 ;
胡恺葳 ;
罗静 ;
陈寿彬 ;
徐开钦 ;
洪章霖 ;
蔡晨健 .
中国专利 :CN116947168B ,2025-12-02
[4]
Na<sub>4-x</sub>Fe<sub>3</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>2-x</sub>(SO<sub>4</sub>)<sub>x</sub>P<sub>2</sub>O<sub>7</sub>/C材料及其制备方法和应用 [P]. 
纪效波 ;
邹国强 ;
张洋洋 ;
曾晶垚 ;
侯红帅 .
中国专利 :CN117776136B ,2025-02-25
[5]
Na<sub>4-x</sub>Fe<sub>3</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>2-x</sub>(SO<sub>4</sub>)<sub>x</sub>P<sub>2</sub>O<sub>7</sub>/C材料及其制备方法和应用 [P]. 
纪效波 ;
邹国强 ;
张洋洋 ;
曾晶垚 ;
侯红帅 .
中国专利 :CN117776136A ,2024-03-29
[6]
钠离子电池正极活性材料Na<sub>4</sub>Fe(PO<sub>4</sub>)<sub>2</sub>P<sub>2</sub>O<sub>7</sub>及其制备方法和应用 [P]. 
请求不公布姓名 ;
赵军滨 ;
高丽娜 .
中国专利 :CN119447284A ,2025-02-14
[7]
Zn<sub>4</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CO<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>·H<sub>2</sub>O化合物及其晶体、制备方法和应用 [P]. 
彭广 ;
韩言鸣 ;
叶宁 .
中国专利 :CN119823397A ,2025-04-15
[8]
Bi<sub>8</sub>O<sub>6</sub>(OH)<sub>4</sub>(SO<sub>4</sub>)(NO<sub>3</sub>)<sub>6</sub>·H<sub>2</sub>O化合物及其晶体、制备方法和应用 [P]. 
彭广 ;
李尊宇 ;
叶宁 .
中国专利 :CN119841346A ,2025-04-18
[9]
一种二维Bi<sub>2</sub>Fe<sub>4</sub>O<sub>9</sub>-Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>纳米片复合催化剂及其制备方法与应用 [P]. 
尹思敏 ;
扶勇 ;
张恩榕 ;
唐凌枫 ;
高文森 ;
袁永锋 ;
郭绍义 .
中国专利 :CN117732484A ,2024-03-22
[10]
In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/BiVO<sub>4</sub>异质结压电材料及其制备方法和应用 [P]. 
钟山 ;
杨涵 ;
张漓杉 .
中国专利 :CN119926386A ,2025-05-06