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一种高线性度GaN HEMT射频功率放大器电路
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210111211.7
申请日：
2022-01-28
公开(公告)号：
CN114650020B
公开(公告)日：
2025-11-14
发明(设计)人：
程知群
乐超
申请人：
杭州电子科技大学
杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
申请人地址：
310018 浙江省杭州市下沙高教园区
IPC主分类号：
H03F1/32
IPC分类号：
H03F3/193
H03F3/21
H10D30/47
代理机构：
浙江永鼎律师事务所 33233
代理人：
陆永强
法律状态：
著录事项变更
国省代码：
浙江省
杭州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-29 | 著录事项变更 | 著录事项变更IPC(主分类):H03F 1/32变更事项:申请人变更前:杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司变更后:杭州电子科技大学变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:311400 浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心6号9层937室变更后:310018 浙江省杭州市下沙高教园区变更事项:申请人变更前:杭州电子科技大学变更后:杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国 |
| 2025-11-14 | 授权 | 授权 |