半导体装置与其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411098080.9

申请日：

2024-08-12

公开(公告)号：

CN120812936A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

萧稚钧刘吉峰

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市泰山区南林路98号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;张铮铮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20240812

共 50 条

[1]

半导体装置与其制作方法 [P].

蔡国强 ;

余科京 ;

苏富祥 ;

陈羿如 ;

陈志辉 .

中国专利 :CN111081757A ,2020-04-28

[2]

半导体装置与其制作方法 [P].

林士尧 ;

林志翰 ;

张书维 ;

蔡雅怡 ;

杨宜伟 ;

古淑瑗 .

中国专利 :CN113314526A ,2021-08-27

[3]

半导体装置与其制作方法 [P].

庄英政 .

中国专利 :CN120692845A ,2025-09-23

[4]

半导体装置与其制作方法 [P].

庄英政 ;

林育廷 .

中国专利 :CN120091558A ,2025-06-03

[5]

半导体装置与其制作方法 [P].

陈述文 ;

王冠人 ;

傅劲逢 .

中国专利 :CN113314464A ,2021-08-27

[6]

半导体装置与其制作方法 [P].

王俊傑 ;

白岳青 .

中国专利 :CN113140514B ,2025-02-28

[7]

半导体装置与其制作方法 [P].

蒋耘洁 ;

卢孟珮 ;

叶菁馥 ;

陈芊宇 ;

锺进龙 ;

杨士亿 .

中国专利 :CN120356864A ,2025-07-22

[8]

半导体装置与其制作方法 [P].

陈述文 ;

王冠人 ;

傅劲逢 .

中国专利 :CN113314464B ,2025-10-03

[9]

半导体装置与其制作方法 [P].

林士尧 ;

刘得湧 ;

林志翰 .

中国专利 :CN114914199A ,2022-08-16

[10]

半导体装置与其制作方法 [P].

庄英政 .

中国专利 :CN120826009A ,2025-10-21

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